E

Endres, Ralf (2011):
Gate-Last-Prozessintegration und elektrische Bewertung von High-k-Dielektrika und Metall-Elektroden in MOS-Bauelementen.
Darmstadt, Technische Universität,
[Ph.D. Thesis]

K

Keyn, Martin (2018):
Untersuchung einer Herstellungstechnologie für Feldeffekt-Transistoren auf Basis von Kohlenstoffnanoröhren.
Darmstadt, Technische Universität,
[Ph.D. Thesis]

Krauss, Tillmann Adrian (2019):
Planar Electrostatically Doped Reconfigurable Schottky Barrier FDSOI Field-Effect Transistor Structures.
Darmstadt, Technische Universität,
[Ph.D. Thesis]

N

Noll, Dennis (2019):
Nanokristalline Graphen-Feldeffekttransistoren für Gassensor-Anwendungen.
Darmstadt, Technische Universität,
[Ph.D. Thesis]

R

Rispal, Lorraine (2010):
Large Scale Fabrication of Field-Effect Devices based on In Situ Grown Carbon Nanotubes.
Darmstadt, Technische Universität,
[Ph.D. Thesis]

W

Weber, Jürgen (2008):
Eine vereinheitlichte Modellierungsmethodik für den Entwurf und den virtuellen Test gemischt analog/digitaler Komponenten.
Darmstadt, Technische Universität,
[Ph.D. Thesis]

Wessely, Frank (2011):
CMOS ohne Dotierstoffe: Neuartige siliziumbasierte Nanodraht-Feldeffekt-Bauelemente.
Darmstadt, Darmstädter Dissertationen, Technische Universität,
[Ph.D. Thesis]

Wessely, Pia Juliane (2013):
Graphen-Transistoren: Silizium CMOS kompatible Herstellung für Anwendungen in der Nanoelektronik.
Darmstadt, Darmstädter Dissertationen, Technische Universität,
[Ph.D. Thesis]

Z

Zaunert, Florian (2009):
Simulation und vergleichende elektrische Bewertung von planaren und 3D-MOS-Strukturen mit high-k Gate-Dielektrika.
Darmstadt, Technische Universität,
[Ph.D. Thesis]