Einkristalline, eindimensionale (1-D), Metall-Oxid Nanostrukturen sind bekannt für ihre hervorragenden elektronischen Transporteigenschaften. Des Weiteren bieten Metall-Oxid Nanodraht Feldeffekt-Transistoren zusätzlich eine hohe optische Transparenz und eine gute mechanische Verformbarkeit. Diese Eigenschaften sind wesentlich für Anwendungen in flexiblen und transparenten Displays. Während der Strom im „on-state“ in Nanodraht-Transistoren bereits für die Anwendung in AMOLED Displays ausreicht, wird in dieser Arbeit gezeigt, dass durch den Einsatz des „electrolyte gating“ die Betriebsspannung auf ≤ 2V reduziert werden kann. Dies eröffnet neue Möglichkeiten für flexible, tragbare und transparente Displays, die von Dünnschicht-Batterien betrieben werden können. „Electrolyte gated“ Feldeffekt-Transistoren (EG FET) werden aus einkristallinen Nanodrähten aus z.B. ZnO oder SnO2 als Kanal und einem Festkörper Polymer Kompositelektrolyt (CSPE) als Gate-Isolator hergestellt. Es wurden sowohl exzellente Transistoreigenschaften als auch eine sehr kleine Arbeitsspannung von ≤ 2V gezeigt. In der Praxis überzeugen solche EG FETs besonders wegen ihrer Langlebigkeit in Umgebungsbedingungen. Weiterhin ist wegen der guten Leitfähigkeit der CSPE (≈10-2 S/cm) eine ausreichend hohe Schaltgeschwindigkeit solcher EG FETs erreichbar; es wurde eine maximale Frequenz von mehr als 100 kHz für „in plane“ FETs gemessen. Ferner wurden die FETs bei Temperaturen bis 180 °C systematisch untersucht; wobei bis zu einer Temperatur von 70 °C keine Änderungen in den Transistoreigenschaften festgestellt wurden. Auch eine kurzzeitige Temperaturerhöhung auf 110 °C beeinflusst die EG FETs kaum. Somit sind solchen Bauteile kompatibel mit organischer Photovoltaik und biomedizinischen Anwendungen. Zusätzlich bietet der in dieser Arbeit entwickelte CSPE in der Zukunft viele Möglichkeiten für vollständig gedruckte Bauteile mit hohem Produktionsdurchsatz