Einwandige Kohlenstoffnanoröhren (SWCNTs, engl. single-walled carbon nanotubes) sind zylindrische Röhrchen mit einem Durchmesser im Nanometerbereich, und entsprechen einer aufgerollten Monolage von Graphen. Durch ihre einzigartige eindimensionale Struktur besitzen SWCNTs viele außergewöhnliche elektronische Eigenschaften, wie z.B. hohe elektrische Leitfähigkeit, hohe Ladungsmobilität, niedrige Feldemissionsschwelle, hohe Stromkapazität usw. Außerdem weisen SWCNTs je nach Bandstruktur metallische oder halbleitende Eigenschaften auf. Diese Eigenschaften machen SWCNTs zu einem vielversprechenden Material für die zukünftige Elektronik. Die vorliegende Arbeit konzentriert sich auf die Herstellung von Strukturen aus halbleitenden Nanoröhren (s-SWCNTs, engl. semiconducting SWCNTs) durch die Methode der Dielektrophorese (DEP). Für eine effiziente DEP sind dabei zwei wesentliche Anforderungen zu erfüllen. Zum Einen die Verwendung von SWCNT-Suspensionen mit einem hohen Anteil an halbleitenden SWCNTs und zum Anderen das Abscheiden von s-SWCNT in einer hoher Packungsdichte und idealer Ausrichtung. Vor kurzem wurden Toluol Suspensionen mit einem über 99,7% Anteil an polymer umwickelten s-SWCNTs mittels Größenausschlusschromatographie hergestellt. Solche Suspensionen sind besonders geeignet für die Herstellung leistungsfähiger elektronischer CNT-Bauteile dar, und wurden im Rahmen dieser Arbeit verwendet. Um bei der Abscheidung mittels DEP eine hohe Packungsdichte an ausgerichteten s-SWCNTs zu erreichen, sollte die Polarisierbarkeit von s-SWCNTs vergrößert werden. Dabei können grundsätzlich drei Parameter berücksichtigt werden: die s-SWCNT selbst, das Lösungsmittel zum Suspendieren von s-SWCNTs und das angelegte elektrische Feld während der DEP. Die s SWCNT Abscheidung wurde mittels lasergekoppelter DEP verbessert, bei der durch exzitonische Anregung freie Ladungen in der SWCNTs erzeugt wurden. Durch Charakterisierung mit dem Rasterelektronenmikroskop und elektrischer Charakterisierung der entsprechenden Transistoren wurde die verbesserte Abscheidung nachgewiesen und konnte auf eine feldabhängige Exzitonenrelaxationen in s-SWCNTs zurückgeführt werden. Zur Optimierung der DEP wurden Lösungsmittel mit niedriger dielektrischer Konstante als besonders geeignet für eine Verstärkung der Polarisierbarkeit von s-SWCNTs identifiziert. Zusätzlich wurde ein Verfahren zur Ermittlung der chiralitäts-aufgelösten SWCNT-längenverteilung entwickelt, basierend auf der Analyse der Ausrichtung der Nanoröhrchen in solchen Medien unter einem externen angelegten elektrischen Feld. Dabei lassen die Ergebnisse dieser Arbeit den Schluss zu, dass DEP mit Lösungsmitteln niedriger dielektrischer Konstante einen neuen Ansatz zur selektiven Abscheidung von s-SWCNTs bieten. Die Auswirkungen von elektrischen Feldern auf die SWCNT-DEP-Abscheidung wurden durch Finite-Elemente-Simulationen in Kombination mit Experimenten untersucht. Dabei zeigte sich, dass niederfrequente Spannungen vorteilhaft im Vergleich zu hochfrequenten Signalen sind. Darüber hinaus wurde im Rahmen dieser Arbeit gezeigt, dass die DEP unter Gleichspannung in schwach leitfähiger Lösung die effizienteste Methode zur Abscheidung von s-SWCNTs darstellt. Schließlich wurden in dieser Arbeit s-SWCNT-Transistoren mit einer Löcherbeweglichkeit von bis zu 297 cm^2V^-1s^-1 und einem On/Off-Verhältnis bis zu 2×10^8 hergestellt, wobei zur Herstellung die DC-basierte DEP von in Toluol dispergierten, polymerumhüllten SWCNTs eingesetzt wurde. Durch Austausch des Si/SiO2-basierten Backgates mit einem dünn-oxidierten Aluminium Top-Gate wurde zudem ein Schwellenwert von 95 mV/Dekade der gemessenen SWCNT-Transistoren realisiert werden.