Die Wechselwirkungen ferroelektrischer Domänenwände (DW) mit mechanischen und elektrischen Defekten auf unterschiedlichen Längenskalen standen im Zentrum des Interesses. Die beiden Materialsysteme Gadolinium-Molybdat (GMO) und Lithium-Niobat (LN) waren für die durchgeführten elektrischen Schaltexperimente gut geeignet. Vor allem GMO ist ein typisches Modellsystem und für grundlagenwissenschaftliche Untersuchungen bestens geeignet, da hier einzelne DW erzeugt werden können, deren eindimensionale Bewegung sich leicht analysieren läßt. Für einachsige ferroelektrische Kristalle wurde gezeigt, daß diese trotz potentieller vollständiger Kompensation durch die Elektroden altern und entaltern. Damit ist die Existenz einer dielektrischen Schicht zwischen dem ferroelektrischen Material und den Elektroden nachgewiesen. Für die DW-geschwindigkeit in GMO wurde gezeigt, daß diese vom Alterungszustand abhängt und mit fortschreitender Entalterung ansteigt. Es handelt sich somit um eine triebkraftabhängige Geschwindigkeit. Dadurch wird belegt, daß in GMO innere Felder vorhanden sind, deren Größe den Alterungszustand bestimmen. In GMO wurden durch Laserablation zwei Arten künstlicher Defekte erzeugt. Zum einen wurden Löcher in die obere Elektrode eingebracht, um elektrische Defekte zu erhalten, zum anderen wurden seitlich in den Kristall Löcher eingebracht, die in erster Näherung nur mechanisch mit einer Domänenwand wechselwirken. Für mechanische Defekte wurde eine kleine Wechselwirkung mit der DW festgestellt, für elektrische Defekte eine starke, die mit zunehmender Defektgröße tendenziell zunimmt. Diese Feststellungen basieren auf Messungen der DW-Kinetik durch akustische Emissionen (AE) und ferroelektrische Barkhausen-Pulse (BHP) und wurden durch digitale Videoaufzeichnungen ergänzt. Die Ergebnisse stimmen qualitativ sehr gut mit Finite-Elemente-Modellierungen (FEM) der beiden Defekttypen in GMO überein. In LN werden durch das wesentlich kompliziertere Schalten durch zweidimensionale DW-Bewegungen bedeutend höhere AE-Amplituden beobachtet, auch die Anzahl der Ereignisse ist viel größer. Durch das Erzeugen feldreduzierender Defekte wurde das Schalten der Kristalle in diesem Defektbereich zu höheren Feldstärken verschoben. Somit ist aufgrund des reziproken piezoelektrischen Effekts die Dehnungskompatibilität des umgebenden Materials mit dem Material im Defektbereich nicht mehr gegeben und die AE-Amplituden wachsen signifikant für dieses Schalten bei hohen externen Feldern.