Die vorliegende Arbeit untersucht die durch den Laststrom verursachte Magnetfeldverteilung um einen Leistungshalbleiter hinsichtlich ihrer Eignung zur Erkennung von Schädigungen der Aufbau-Verbindungs-Technik. Unter Verwendung eines 3D FEM Modells wird die B-Feld Verteilung um einen IGBT auf DCB simuliert. Die betrachteten Fälle sind dabei der intakte Zustand sowie mit eingefügter Unterbrechung der Lotschicht. Die Ergebnisse zeigen, dass eine derartige Unterbrechung einen Einfluss auf die B-Feld Verteilung oberhalb der Bonddrähte hat, was auf eine Umverteilung des Laststromes zurückzuführen ist. Messungen, welche an IGBT Aufbauten mit identischer Struktur durchgeführt wurden bestätigen die Simulationsergebnisse.

Durch aktive Lastwechseltests wurden 40 IGBT Aufbauten künstlich gealtert. Die festgestellten Schädigungen umfassen neben Bonddrahtabhebern unterschiedlicher Ausprägung, starke vertikale Rissbildungen im Lot. Messungen des B-Feldes zeigen, dass das die vorliegenden Rissstrukturen des Lots keinen Einfluss auf die Magnetfeldverteilung oberhalb der Bonddrähte haben. Somit kann deren Detektierbarkeit durch das betrachtete Verfahren ausgeschlossen werden. Bezüglich der Bonddrähte wird gezeigt, dass neben der Erkennung auch eine Lokalisierung, sowie die Identifikation möglich ist (teilweise oder komplett).

Abschließend wird die Bestimmung der Bonddraht-Stromverteilung betrachtet. Zu diesem Zweck wird ein analytisches Modell hergeleitet, welches die räumliche Magnetfeldverteilung beschreibt die durch den Stromfluss in mehreren Bonddraht-Bögen hervorgerufen wird. Unter Verwendung des Modells in Kombination mit diskreten B-Feld Messungen wird ein Verfahren zur Identifikation und Lokalisierung von Bonddrahtabhebern vorgestellt, welches aud Optimisierungs Ansätzen basiert. Eine erste Machbarkeitsuntersuchung zeigt die Eignung dieses Ansatzes zur Identifikation und Lokalisierung von Bonddrahtabhebern anhand der künstlich gealterten IGBT Strukturen.