Durch die direkte Umwandlung von Wärme und Elektrizität haben thermoelektrische Materialien große wissenschaftliche Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Halb-Heusler Verbindungen mit 18 Valenzelektronen sind eine der vielversprechendsten thermoelektrischen Materialien aufgrund ihrer hervorragenden elektrischen Eigenschaften, ihrer thermischen Stabilität sowie ihrer kostengünstigen Elemente. In dieser Arbeit wurden die Halb-Heusler-Verbindungen NbCoSn und ZrNiSn exemplarisch untersucht, einschließlich der Kristall- und Defektstruktur, der Mikrostruktur, der elektronischen Bandstrukturen, der thermoelektrischen Eigenschaften und der Korrelationen zwischen ihnen. Die Halb-Heusler-Verbindung NbCoSn wurde als vielversprechender Kandidat als n-Typ und p-Typ für die Thermoelektrik klassifiziert, so dass sie für beide Schenkel eines thermoelektrischen Elements verwendet werden kann. In dieser Arbeit wurden n-Typ NbCo1-xNixSn und p-Typ Nb1-xScxCoSn Proben erfolgreich synthetisiert. Die Phasenstruktur- und Mikrostrukturanalyse ergab, dass die im Lichtbogen geschmolzenen NbCoSn-Proben immer überschüssiges Co enthielten, welches, nicht nur auf der Co 4c Position, sondern auch teilweise auf der freien 4d-Position sitzt. Aufgrund dieses Phänomens besetzt auch hinzugefügtes Ni die 4c und 4d Position, welches durch Berechnungen der Bildungsenergie bestätigt wurde. Darüber hinaus zeigen die Berechnungen der elektronischen Bandstruktur, dass sich aufgrund des übermäßigen Ni/Co Anteils Zustände in der Bandlücke bilden, die zu einer stark erhöhten Ladungsträgerkonzentration führen. Durch die Unterdrückung der Wärmeleitfähigkeit aufgrund von Punktdefekten von Ni und den Grenzflächen zwischen der Halb-Heusler- und der Voll-Heusler-Phase wurde eine deutliche Erhöhung der ZT erreicht. Nb1-xScxCoSn wird mit Sc ≥ 0.05 ein p-Typ-Halbleiter. Gleichzeitig wurde die Wärmeleitfähigkeit aufgrund der stärkeren Massen- und Dehnungsfeldfluktuationen, die durch den Radius und die interatomaren Kopplungskraftunterschiede zwischen Nb und Sc verursacht werden, verringert. Aufgrund des überschüssigen Co-Gehalts in den Proben wurde die Verbesserung der ZT des p-Typ NbCoSn jedoch unterminiert. Außerdem weist die Halb-Heusler-Verbindung ZrNiSn die gleichen dynamischen Zwischengitterdefekte auf wie die NbCoSn-Verbindung. In dieser Arbeit wurden ZrNiCuxSn-Proben synthetisiert, um die Besetzung und Verteilung von Cu-Atomen zu untersuchen, die einen wichtigen Einfluss auf die thermoelektrischen Eigenschaften haben. Es wurde festgestellt, dass Cu-Atome sowohl die 4c- als auch die 4d-Position besetzen, was zu einer Erhöhung der Ladungsträgerkonzentration führt. Gleichzeitig wurde die Wärmeleitfähigkeit der ZrNiSn-Proben mit überschüssigem Cu aufgrund der Zwischengitterdefekte und der Grenzflächen nach der Cu-Einbringung reduziert. Daher konnte die ZT in den auf ZrNiSn-basierenden Proben deutlich verbessert werden. Die gewonnenen Ergebnisse zeigen, dass die Nutzung von Zwischengitterdefekten ein vielversprechender Ansatz zur Verbesserung der thermoelektrischen Leistung von n-Typ-Halb-Heusler-Verbindungen ist. Um die thermoelektrischen Eigenschaften von p-Halb-Heusler-Verbindungen zu optimieren, sollten jedoch die Zwischengitterdefekte kontrolliert werden.