In der vorliegenden Arbeit wird der Einfluss elektronischer Zustände an der Isolator- / Halbleitergrenzfläche auf den Ladungstransport in organischen Feldeffekttransistoren (OFETs) untersucht. Es konnte gezeigt werden, dass ein ausgeglichener p- und n-typ Ladungstransport in Pentacen durch die Wahl eines geeigneten Dieelektrikums Dielektrikums möglich ist, und dass durch das gezielte Einbringen oder Entfernen von Ladungsträgerfallen an der Isolator- / Halbleitergrenzfläche der Landungstransport in OFETs direkt beeinflusst werden kann. Durch das Abdecken bzw. Passivieren von Elektronenfallen auf einem SiO2 Dielektrikum mittels oxidischem Ca wurde Elektronentransport in Pentacen ermöglicht. Weiterhin konnte nachgewiesen werden, dass das Einbringen von Ladungsträgerfallen an der Isolator (Polymethylmethacrylat) / Pentacengrenzfläche es erlaubt, die Polarität eines n-typ Transistors zu unipolar p-typ zu verändern, ohne den Aufbau des Bauteils zu modifizieren. Das Einbringen der Ladungsträgerfallen erfolgte durch eine UV-Modifikation an Luft. Mittels dieser Technik konnte ein organischer CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) Inverter aus zwei Transistoren mit identischem Aufbau realisiert werden.