Antiferroelektrische (AFE) Materialien finden Einsatz in dielektrischen Kondensatoren mit hohen Energiedichten und -effizienzen, da sie doppelte P-E-Schleifen bei Raumtemperatur aufweisen. In dieser Materialklasse stellen Natriumniobat (NN) und Silberniobat (AN) die vielversprechendsten Alternativen zu toxischen bleihaltigen Verbindungen, wie zum Beispiel PbZrO3-basierten Keramiken, dar. Chemische Modifikationen wurden umfangreich genutzt, um die antiferroelektrischen Eigenschaften und Energieeffizienz dieser Materialien zu verbessern. Die Defektchemie und ihre Verbindung zu den AFE-Eigenschaften sind jedoch weitestgehend unbekannt und ein systematischer Ansatz zur Dotierung in diesen Systemen fehlt bisher. Ebenso wurden die Auswirkungen von Prozessbedingungen und kinetischen Aspekten auf die endgültigen Eigenschaften des Materials noch nicht systematisch erfasst. Außerdem können die in das System eingeführten Verunreinigungen mit den bereits vorhandenen intrinsischen Defekten interagieren und zur Bildung von Defektdipolen führen, welche das Schaltverhalten der elektrischen Dipole und damit die P-E-Schleifen beeinflussen. Trotzdem wurden Defektdipole in bleifreien Antiferroelektrika noch nicht untersucht. Das Ziel dieser Doktorarbeit ist es, die Thermodynamik von Punktdefekten in NN und AN mithilfe von first-principles Methoden zu untersuchen. Dazu werden Berechnungen basierend auf der Dichtefunktionaltheorie angewandt, um die Auswirkungen von Dotierung und Synthesebedingungen auf die elektronischen Eigenschaften von NN und AN zu analysieren, insbesondere mit Fokus auf das Fermi-Niveau. Dabei bestimmen wir das thermodynamische Defektgleichgewicht durch Lösung der Ladungsneutralitätsbedingung und berücksichtigen die Auswirkungen von extrinsischen Defekten auf die Kompensationsmechanismen. Darüber hinaus entwickeln wir ein neuartiges Verfahren innerhalb der etablierten Punktdefekt-Thermodynamik, das das Einfrieren von Defekten berücksichtigt. Mit diesem Ansatz zeigen wir, dass in reinem NN Na-Vakanzen (Akzeptoren) und O-Vakanzen (Donatoren) in hohen Konzentrationen vorhanden sind und die Position des Fermi-Niveaus bestimmen. Bei Dotierung mit Sr und Sn ist NN bei hohen Temperaturen und niedrigem Sauerstoffpartialdruck n-leitend, während das System bei hohem Sauerstoffpartialdruck p-leitend wird. Bei Raumtemperatur ist das Material p-leitend. Das Einfrieren aller Defekte oder nur der O-Vakanzen bei hoher Temperatur verschiebt das Fermi-Niveau in Richtung des Leitungsbandmaximums (engl. conduction band minimum, CBM), während das Einfrieren der Na- und Nb-Vakanzen eine weniger ausgeprägte Verschiebung in Richtung des Valenzbandmaximums (engl. valence band maximum, VBM) bewirkt. Vier Defektkomplexe stellen sich als stabil heraus und sind demnach in hohen Konzentrationen vorhanden. Dies legt nahe, dass sie eine wichtige Rolle im Schaltverhalten der Polarisation spielen und letztendlich die AFE P-E-Schleifen beeinflussen. In AN sind die Bildungsenergien der Ag-Vakanzen (Akzeptoren) so niedrig, dass das Halbleitermaterial immer p-leitend ist. Bei extrem niedrigem Sauerstoffpartialdruck ist das Material aufgrund der unrealistisch hohen Konzentration an Ag-Vakanzen instabil, was mit den in der Literatur beschriebenen experimentellen Ergebnissen übereinstimmt. Die Dotierung mit Mn und/oder das Einfrieren führen nicht zu einer signifikanten Verschiebung des Fermi-Niveaus, und das System bleibt unter allen Bedingungen p-leitend. Zusammengefasst ermöglicht unser Ansatz die systematische Untersuchung der Defektthermodynamik sowie der elektronischen Eigenschaften von Halbleitern, unter der Berücksichtigung einer Vielzahl von Kompensationsmechanismen und des Einfrierens von Defekten, welches durch die Synthesebedingungen motiviert wird.