Ottinger, Oliver M. (2012):
Modellierung der Ladungsträgerinjektion und des Raumladungsaufbaus in organischen Dioden.
Darmstadt, Technische Universität,
[Ph.D. Thesis]
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Text
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Item Type: | Ph.D. Thesis | ||||
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Title: | Modellierung der Ladungsträgerinjektion und des Raumladungsaufbaus in organischen Dioden | ||||
Language: | German | ||||
Abstract: | Organische lichtemittierende Dioden (OLEDs) spielen sowohl in Displays als auch für Beleuchtungsanwendungen eine zunehmend wichtige Rolle. Ziel dieser Arbeit ist es, ein verbessertes Verständnis der Ladungsträgerinjektion und des Raumladungsaufbaus in OLEDs zu erlangen. Es wird im Rahmen des Drift-Diffusionsmodells eine selbstkonsistente Modellierung der gesamten Diode inklusive der Elektroden durchgeführt. Die Injektion ist dabei durch eine effektive Injektionsbarrierenhöhe bestimmt, die vom elektrischen Feld an den Grenzflächen zwischen Elektroden und organischem Halbleiter abhängig ist. Dieser Ansatz ermöglicht die kontinuierliche Beschreibung des Bauteilverhaltens über den gesamten Spannungsbereich unter Berücksichtigung der Kontakte und möglicher Raumladungseffekte. Neben statischen Berechnungen der Strom-Spannungskennlinien werden auch frequenzabhängige Impedanzsimulationen für Dioden mit intrinsischen und dotierten Halbleitern durchgeführt. Für dotierte Dioden wird bei unzureichender Injektion eine Verarmung des Halbleiters beobachtet. Diese wird durch die Schottky-Barrierenerniedrigung reduziert, die in Abhängigkeit des Zustandes der Diode berücksichtigt wird. Insbesondere bei hohen Barrieren und hohen Feldern an den Kontakten treten neben der thermischen Injektion auch substanzielle Injektionsströme über direktes Durchtunneln der Barriere auf. Der Tunneleffekt wird dabei über den Miller-Abrahams Ansatz modelliert. Zu beachten ist, dass die Vorteile der selbstkonsistenten Modellierung auch nach der Integration der Tunnelinjektion und des Schottky-Effekts erhalten bleiben. Mit dem um die Tunnelinjektion erweiterten Modell wird eine Parameteranpassung an j-U-Kennlinien von ITO/a-NPD/Ag-Dioden für verschiedene Schichtdicken durchgeführt. Außerdem wird das entwickelte Modell auch auf Kelvinsondenmessungen angewendet. Dabei kann gezeigt werden, dass die übliche Interpretation der Oberflächenpotentiale als Verlauf des Potentials im Volumen einer dicken Schicht falsch ist. Der Fehler wird abgeschätzt, eine verbesserte Interpretation vorgeschlagen und an einem Satz gemessener Daten demonstriert. |
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Alternative Abstract: |
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Place of Publication: | Darmstadt | ||||
Collation: | 131 S. | ||||
Uncontrolled Keywords: | OLED, Ladungsträgerinjektion, Schottky-Effekt, Tunneln, Kelvinsondenmethode, Dirft-Diffusions-Modell | ||||
Alternative keywords: |
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Classification DDC: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 500 Naturwissenschaften 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik 600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
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Divisions: | 11 Department of Materials and Earth Sciences > Material Science > Electronic Materials | ||||
Date Deposited: | 20 Dec 2012 10:32 | ||||
Last Modified: | 09 Jul 2020 00:13 | ||||
URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-31584 | ||||
Referees: | von Seggern, Prof. Dr. Heinz ; Jaegermann, Prof. Dr. Wolfram | ||||
Date of oral examination: | 30 October 2012 | ||||
URI: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/id/eprint/3158 | ||||
PPN: | |||||
Export: |
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