Die vorliegende Arbeit untersucht das Fermi-Niveau im halbleitenden Material Hämatit (Fe2O3) hinsichtlich der Möglichkeit dieses innerhalb der optischen Bandlücke zu verschieben. Der Bereich, in dem sich das Fermi-Niveau bewegen kann, lässt direkte Rückschlüsse zu auf die Größe der Fotospannung, die ein Halbleiter liefern kann. Für Anwendungen, in denen Hämatit als fotoaktives Material genutzt wird, konnte bislang beobachtet werden, dass die Fotospannung deutlich niedriger ausfällt, als dies auf Basis der Größe der optischen Bandlücke erwartet wird. Die Ergebnisse dieser Arbeit geben damit eine Antwort auf die Frage warum dies der Fall ist. Um die Lage des Fermi-Niveau zu untersuchen wurden Hämatit Dünnschichten mittels RF-Magnetron Kathodenzerstäubung hergestellt und anschließend ohne das Ultra-Hochvakuum zu verlassen mittels XPS und UPS untersucht. Dieses Verfahren garantiert saubere und nicht-kontaminierte Oberflächen. Die vorliegende Phase und andere strukturelle Eigenschaften der dünnen Schichten nach der Deposition und anschließenden Behandlungen wurden mittels Raman Spektroskopie und XRD untersucht. Optische Transmissions- und Reflektionsmessungen und elektrische Messungen gaben Aufschluss über die funktionellen Eigenschaften der Proben. Das Fermi-Niveau wurde mittels unterschiedlicher Techniken manipuliert. Als erster Ansatz wurde das gezielte Dotieren von Hämatit mittels eines selbst-konzipierten Co-Sputter-Aufbaus realisiert. Die Dotierelemente in diesen Experimenten waren Magnesium, Silizium und Zirkon. Zusätzlich wurde das Verhalten des Fermi-Niveaus bei Kontaktbildung an der Oberfläche von Hämatit untersucht. Hierfür wurden gezielte Grenzflächen-Experimente zu Materialien wie ITO, RuO2, Al2O3 und NiO durchgeführt. Außerdem wurde die Oberfläche von Hämatit mit molekularen Spezies wie Sauerstoff, Wasser, OH- und Peroxiden manipuliert und die Reaktion des Fermi-Niveaus gemessen. Die Ergebnisse der Arbeit zeigen, dass in Hämatit Fermi-Niveau Positionen zwischen 0.3eV und 1.75eV oberhalb des Valenzbandmaximums möglich sind. Der Bereich von ca. 1.5eV ist deutlich niedriger als die optische Bandlücke, die bei 2.2eV liegt und zeigt damit, dass die niedrigen Fotospannungen in Hämatit auf der Limitierung der erreichbaren Fermi-Niveaus basieren. Das obere Limit von 1.75eV wurde in dieser Arbeit mit unterschiedlichen Methoden erreicht und daher als fundamentales Limit des Fermi-Niveaus in Hämatit durch Pinning identifiziert. Der Grund für dieses Pinning konnte in der Umladung von Fe3+ zu Fe2+ gefunden werden. Dies zeigt, dass freie Elektornen in Hämatit nicht im Leitungsband existieren sondern an einem Eisen-Atom und bei niedrigeren Energien gebunden sind. Diese Bindung von Elektronen an Übergangsmetalle sind in der Literatur als Polaronen bekannt und wurden für Hämatit als führende Ursache für langsame Ladungsträgerbewegung diskutiert. Diese Arbeit erweitert das Verständnis über Polaronen in Hämatit und anderen Übergangsmetalloxiden um die Rolle dieser quasi-Partikel als energetische Limitierung, die große Fotospannungen verhindert. Zusätzlich wird gezeigt, dass der Polaronenzustand, der in der optischen Bandlücke liegt als effektive Bandkante agiert. Durch Grenzflächenexperimente konnte eine neue Zuweisung der Lage der Bandkanten von Hämatit auf einer absoluten Energieskala erreicht werden. Dies zeigt, dass vorangegangene elektrochemische Mott-Schottky Untersuchungen die Bandkanten zu niedrig gemessen haben, da sie fälschlicherweise den Polaronenzustand als Bandkante identifiziert haben. Ladungstransfer von Hämatit in das Redoxpotential für Wasserstoff in Wasser ist trotzdem nicht möglich, da die Elektronen in dem Polaronenzustand gehalten werden.