ZnO Nanopartikel werden nasschemisch synthetisiert und als aktives Halbleitermaterial in Dioden und Transistoren verwendet. Bei der elektrischen Charakterisierung der ZnO Nanopartikel Dioden wird ein starker Einfluß der Partikelgeometrie auf das Kennlinienverhalten deutlich. Im Vergleich mit Dioden aus gesputtertem ZnO zeigen die Kennlinien der Dioden aus ZnO Nanopartikeln ein invertiertes Durchlassverhalten. Die Ursache dieser Invertierung wird untersucht und erklärt. An Transistoren auf der Basis von ZnO Nanopartikeln wird der Einfluß von verschiedenen Athmosphären demonstriert und die zugrundeliegenden Effekte erörtert.