Diese Arbeit befasst sich mit der Herstellung und strukturellen Charakterisierung neuartiger Silizium-Farbstoff-Komposite. Die verwendete Deposition von mikrokristallinem Silizium mit dem Hot Wire-CVD-Verfahren (HWCVD) und organischer Moleküle stellt dabei ein bisher nicht bekanntes Verfahren dar. Die Arbeit beschreibt die Planung und den grundlegenden Aufbau der HWCVD-Depositionsanlage. Die Abscheidung von Silizium erfolgte unter Optimierung der Parameter Substrattemperatur, Prozessgasdruck und Silankonzentration in Wasserstoff auf die Kristallinität der Siliziumschicht. Einschränkungen ergaben sich aus der später erfolgenden Abscheidung des Farbstoffs ZnPc, die zum Beispiel eine möglichst geringe Substrattemperatur erfordert. Mit der Ramanspektroskopie wurde die Kristallinität des Siliziums ermittelt und die Molekülstruktur des Farbstoffs überprüft. Mit der optischen Transmissionsspektroskopie wurden die optischen Eigenschaften des Komposits und der Farbstoffschichten verglichen. In einer Kodeposition von Si und ZnPc konnte die chemische Stabilität des eingesetzten Farbstoffs sehr gut demonstriert werden. Die Kodeposition hatte allerdings die Folge, dass das Wachstum des Siliziums gestört wurde und sich lediglich eine amorphe Siliziummatrix ausbilden konnte. In einer sequentiellen Deposition konnte mit einer Substrattemperatur von etwa 260°C ein Komposit aus mikrokristallinem Silizium und einer hohen Konzentration an ZnPc erhalten werden. Einen Hinweis auf einen Ladungstransfer vom HOMO-Zustand und LUMO-Zustand des Farbstoffs in die Bänder des Siliziums gab ein Löschen des Fluoreszenzuntergrunds in den Ramanspektren. Die Ramanspektren zeigten, dass eine ausreichende Kristallinität und Korngröße des mikrokristallinen Siliziums die Vorraussetzung für das Löschen der Fluoreszenz darstellt. Ein direkter Nachweis des Ladungstransfers wurde mit Photoleitungsmessungen versucht. Durch den Einbau des ZnPc konnte ein Effekt als Erhöhung der Photoleitung festgestellt werden. In Grenzflächenexperimenten von verschieden fluorsubstituierten Zinkphthalocyaninen auf wasserstoffterminiertem Silizium sollten Grenzflächen in den Kompositen modelliert werden. Mit Photoelektronenspektroskopie wurde die Lage der HOMO-Zustände dieser Farbstoffe zur Valenzbandkante des Siliziums vermessen. Die Messungen ergaben, dass sich der energetische Abstand des HOMO-Zustands zur Valenzbandkante des Siliziums, wie nach theoretischen Überlegungen anhand der Ionisationspotentiale der Farbstoffe vorhergesagt, von ZnPc zu F16ZnPc vergrößert. Aus den Bandanpassungen dieser organischen Halbleiter auf wasserstoffterminiertem Silizium ergab sich, dass eine zukünftige Verwendung von F4ZnPc und F8ZnPc in den Kompositen nach diesen Ergebnissen als geeignet erscheint, den Ladungstransfer sowohl der Elektronen als auch der Löcher von den Farbstoffen zur Siliziummatrix zu ermöglichen.