Das Ziel dieser Arbeit ist die Umsetzung des Konzeptes der Quasi-van der Waals-Epitaxie als eine neue Perspektive zur Integration reaktiver und gitterfehlangepasster Materialien in die Silizium-Technologie. Die experimentelle Charakterisierung dieses Ansatzes erfolgt in zwei aufeinander aufbauenden Abschnitten. Zunächst wird die chemische und elektronische Passivierung eines dreidimensionalen Substrates (Silizium) mittels einer ultra-dünnen Pufferschicht aus der Materialklasse der Schichtgitter-Chalkogenide (GaSe) untersucht. Die auf diese Weise modifizierte Substrat-Oberfläche (Si(111):GaSe) besitzt eine inerte van der Waals-Oberfläche und dient im Folgenden als Basis für die Abscheidung der gegenüber dem nicht passivierten Substrat eigentlich reaktiven und gitterfehlangepassten Materialien (verschiedenen II-VI-Verbindungshalbleitern und Metallen). Die Charakterisierung der elektronischen und chemischen Eigenschaften der Oberflächen und Grenzflächen erfolgt mit hochaufgelöster Photoelektronenspektroskopie (SXPS). Diese Ergebnisse werden durch die Charakterisierung der Morphologie mit der Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) und der Rastertunnelmikroskopie (STM) ergänzt. (Die Arbeit ist urheberrechtlich geschützt und veröffentlicht von: Mensch & Buch Verlag, Nordendstr. 75, 13156 Berlin; Dissertation, Technische Universität Darmstadt, 2004; ISBN 3–89820–789–6)