Trotz der Fortschritte in der Technologie der organischen Feldeffekttransistoren sind viele grundlegende Prozesse in realen Bauteilen nur unvollständig verstanden. Der Hauptgrund hierfür liegt in dem Auftreten von Haftstellen in realen Materialien. Unter Haftstellen versteht man lokalisierte Zustände mit einer hohen Verweildauer für Ladungsträger. Diese Zustände behindern daher den Ladungstransport. Gründe für das Auftreten dieser Zustände sind vor allem chemische Verunreinigungen und Fehlordnungen in der Struktur der organische Transportmaterialien. Für ein tiefergehendes Verständnis des Zusammenhangs zwischen Haftstellen und Ladungstransport ist es notwendig, die energetische Verteilung der Fallen und Transportzustände im organischen Materialien sowie deren Morphologie zu bestimmen. Das Ziel dieser Arbeit ist somit die Aufklärung des Einflusses von Haftstellen in organischen Halbleitern auf den Ladungstransport in organischen Feldeffekttransistoren. Spezielle Schwerpunkte liegen in der Bestimmung der Zusammenhänge zwischen chemischen Verunreinigungen sowie dem Wachstumsverhalten auf die energetische Verteilung der Haftstellen und den elektronischen Transport. In Zusammenarbeit mit dem Institut für Halbleitertechnik der TU Darmstadt wurde die Entwicklung eines Substrates zur Präparation von Feldeffekttransistoren auf Basis organischer Halbleiter durchgeführt. Für diese Substrate wurde eine Methode zur Reinigung sowie eine Behandlung zur Einstellung der Polarität der Oberfläche entwickelt. Auf diesen Substraten wurden mit Hilfe eines bestehenden Aufbaus zur Vakuumverdampfung die organischen Halbleitern abgeschieden. Diese Anlage wurde um eine Einrichtung zum Transfer der Proben ohne direkten Kontakt zur Laboratmosphäre sowie eine Heizung zur Variation der Substrattemperatur bei der Deposition erweitert. Die elektrische Charakterisierung der so präparierten organischen Feldeffekttransistoren erfolgte in einer dazu speziell entworfenen und aufgebauten Messapparatur. Zur Charakterisierung der Materialien und Substrate wurden die Methoden der thermisch stimulierten Ströme, der Rasterkraftmikroskopie, sowie der Röntgenphotoelektronenspektroskopie und der Massenspektroskopie zur Anwendung gebracht. Eine Materialaufreinigung erfolgte in einem Sublimationsofen. Als theoretische Methode wurde die Monte-Carlo-Simulation zur Modellierung des Ladungstransports herangezogen. Zusammenfassend ist festzustellen, dass für den Ladungstransport in Feldeffekttransistoren basierend auf organischen Halbleitern alle drei untersuchten Faktoren bestimmend sind. Zunächst ist es wichtig, Injektionsbarrieren zwischen dem Sourcekontakt und dem organischen Halbleiter zu vermeiden. Dazu ist es erfordlich, die Materialien hinsichtlich einer geringen Energiedifferenz zwischen der Austrittsarbeit der Kontakte und dem Transportniveau des organischen Halbleiters auszuwählen. Ebenso notwendig ist es, Verunreinigungen der Kontakte zu vermeiden. Hinsichtlich von chemischen Verunreinigungen des organischen Halbleiters wurde für das hier vorgestellte Material Pentacen festgestellt, dass es möglich ist, die durch Verunreinigungen verursachten Haftstellen mit Hilfe einer Sublimation des Pentacens zu reduzieren. Nach Optimierung der Injektion und der Reinheitsgrades ist abschließend der Einfluß der Morphologie zu beachten. Die Morphologie beeinflußt den Ladungstransport durch zwei verschiedene Mechanismen. Auf Grund von Korngrenzen kommt es zur Bildung struktureller Fallen, welche die Beweglichkeit herabsetzen. Die Dichte der Korngrenzen kann durch eine geeignete Modifikation der Isolatorgrenzfläche verringert werden. Dadurch wird die Beweglichkeit erhöht. Des Weiteren beeinflußt die Morphologie den Einsatz der Perkolation der Ladungsträger während des Schichtwachstums.