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Thin film deposition of arsenic free pnictide superconductors

Buckow, Alexander Ulrich :
Thin film deposition of arsenic free pnictide superconductors.
Technische Universität, Darmstadt
[Ph.D. Thesis], (2015)

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Item Type: Ph.D. Thesis
Title: Thin film deposition of arsenic free pnictide superconductors
Language: English
Abstract:

The aim of this work is the thin film deposition of arsenic free pnictide superconductor by reactive molecular beam epitaxy (r-MBE). Starting from the so-called '1111'-phase, it is attempted to deposit LaNiBiO1-x on MgO substrates. The deposited polycrystalline films are characterized by X-ray diffraction and four-point resistivity measurement, phase pure, single crystal layers are, however, not realized due to the required oxidation conditions. Therefore, the focus is placed on oxygen-free layers and it is a so-called '122'-phase, La1-xNi2Bi2 deposited. During the process parameters optimization of this phase, the so-called '112'-phase, LaNi1 XBi2, is discovered. The procedure of the process parameters optimization for the deposition of the new pahse is described in detail. The single-crystal, epitaxial layers are analyzed using X-ray diffractometer, four-point resistivity measurement and SQUID magnetometer. The layers are superconducting below 4K. The influence of the Ni and the Bi content is examined. In addition the La is substituted by Ce, which results in an increase of superconducting transition temperature. Here, too, the influence of the Ni and Bi content is examined.

Alternative Abstract:
Alternative AbstractLanguage
Ziel dieser Arbeit ist die Dünnschichtabscheidung arsenfreier Pniktidsupraleiter mittels reaktiver Molekularstrahlepitaxie (engl. reactive molecular beam epitaxy, r-MBE). Ausgehend von der sogenannten '1111'-Phase wird versucht, LaNiBiO1-x auf einkristallinen MgO Substraten abzuscheiden. Die abgeschiedenen polykristallinen Schichten werden mittels Röntgendiffraktometrie und Vier-Punkt-Widerstandsmessung charakterisiert, phasenreine, einkristalline Schichten werden allerdings aufgrund der nötigen Oxidationsbedingungen nicht realisiert. Daher wird anschließend der Fokus auf sauerstofffreie Schichten gelegt und es wird eine sogenannte '122'-Phase, La1-xNi2Bi2, abgeschieden. Während der Prozessparameteroptimierung wird eine neue Phase, die sogenannte '112'-Phase, ein LaNi1-xBi2, entdeckt. Das Vorgehen der Prozessparameteroptimierung zur Abscheidung dieser neuen Pahse wird detailliert beschrieben. Die einkristallinen, epitaktischen Schichten werden mittels Röntgendiffraktometer, Vier-Punkt-Widerstandsmessung und SQUID-Magnetometer untersucht. Die Schichten sind unterhalb von 4 K supraleitend. Der Einfluss des Ni- sowie des Bi-Gehalts werden untersucht. Anschlißend wird das La durch Ce substituiert, was eine Steigerung der supraleitenden Sprungtemperatur zur Folge hat. Auch hier wird der Einfluss des Ni- und Bi-Gehalts untersucht.German
Place of Publication: Darmstadt
Classification DDC: 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 500 Naturwissenschaften
500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie
600 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften > 620 Ingenieurwissenschaften
Divisions: 11 Department of Materials and Earth Sciences
11 Department of Materials and Earth Sciences > Material Science
11 Department of Materials and Earth Sciences > Material Science > Advanced Thin Film Technology
Date Deposited: 26 Aug 2015 09:47
Last Modified: 26 Aug 2015 09:47
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-45742
Referees: Alff, Prof. Dr. Lambert and Donner, Prof. Dr. Wolfgang and Ensinger, Prof. Dr. Wolfgang and Albert, Prof. Dr. Barbara
Refereed: 13 May 2015
URI: http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/id/eprint/4574
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