Polykristalline Dünnschichtsolarzellen auf der Basis von CdTe sind in Deutschland seit 1993 von der Firma ANTEC Technology GmbH in Kelkheim im Taunus entwickelt worden und werden seit 2001 von der Firma ANTEC Solar GmbH in Arnstadt in Thüringen als 60 cm x 120 cm große Solarzellenmodule produziert. Das Hauptziel der Entwicklungsarbeit beinhaltete die Optimierung der Herstellungsverfahren mit dem Ziel, möglichst hohe Energiewirkungsgrade der Solarzellen zu erreichen. Die ANTEC-CdTe-Dünnschichtsolarzellen werden derzeit durch die Abscheidung einer CdTe/CdS/SnO2/ITO-Schichtfolge auf einem Glassubstrat hergestellt. Anschließend werden sie in einer CdCl2-Atmosphäre aktiviert, um ausreichend hohe Energiewirkungsgrade zu erhalten. Die elektrische Kontaktierung der Zelle wird durch die Präparation des Rückkontaktes und durch die SnO2/ITO-Schicht, die den transparenten Frontkontakt der Solarzelle bildet, ermöglicht. Die für die elektrischen Eigenschaften der CdTe-Solarzelle relevanten Halbleitergrenzflächen sind somit die CdS/SnO2-Grenzfläche am Frontkontakt und der CdTe/CdS-Halbleiter-Heteroübergang. Die elektronischen Eigenschaften der Ober- und Grenzflächen sind von entscheidender Bedeutung für die Wirkungsweise und die Energieausbeute von Dünnschichtsolarzellen. In dieser Arbeit wurden erstmals die elektronischen Eigenschaften der Halbleitergrenzflächen in polykristallinen CdTe-Dünnschichtsolarzellen, sowie die morphologischen und elektronischen Materialeigenschaften der einzelnen Halbleiteroberflächen mit oberflächenempfindlichen Untersuchungsmethoden systematisch charakterisiert. Die Experimente zur Präparation und Analyse der Ober- und Grenzflächen wurden an einem integrierten Ultrahochvakuum-System (UHV) des Fachgebiets Oberflächenforschung im Fachbereich Material- und Geowissenschaften der Technischen Universität Darmstadt durchgeführt. In Modellexperimenten wurden unter UHV-Bedingungen die verschiedenen Grenzflächen durch schrittweises thermisches Verdampfen präpariert und deren chemische Zusammensetzung sowie die elektronischen Eigenschaften während der Grenzflächenbildung mit Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS) und Ultraviolettphotoelektronenspektroskopie (UPS) untersucht. Dabei bildete die experimentelle Bestimmung der Bandanpassungen bei der Bildung der Halbleitergrenzflächen ein zentrales Ziel. Die morphologischen Oberflächeneigenschaften wurden mit Rasterkraftmikroskopie (AFM) analysiert. Als Substratmaterial wurde mit SnO2/ITO-beschichtetes Glas verwendet, worauf die CdS- und CdTe-Schichten abgeschieden wurden. Weiterhin wurden die elektronischen und morphologischen Materialeigenschaften verschieden behandelter SnO2-Oberflächen charakterisiert. Die selbst hergestellten CdS- und CdTe-Schichten wurden mit Schichten von Solarzellen der Firma ANTEC verglichen. Die Auswirkungen des CdCl2-Aktivierungsschrittes auf CdTe-Solarzellen waren zu Beginn dieser Arbeit nicht vollständig verstanden. Um ihren Einfluss auf die Morphologie, die chemische Zusammensetzung und die elektronischen Eigenschaften der Ober- und Grenzflächen der CdTe-Dünnschichtsolarzellen zu untersuchen, wurde der Aktivierungsprozess in das integrierte UHV-System übertragen. Neben den Untersuchungen mit Rasterkraftmikroskopie (AFM) wurden Sputtertiefenprofile mit Röntgenphotoelektronenspektroskopie (XPS) vermessen.