In der vorliegenden Arbeit wurde das Potential des Halbleiters Zinnsulfid (SnS) für den Einsatz als Absorbermaterial in Dünnschichtsolarzellen analysiert. Hierzu wurde zunächst die Abscheidung des SnS durch thermisches Verdampfen hinsichtlich der Schichteigenschaften wie Phasenreinheit und Morphologie aber auch hinsichtlich der elektrischen Solarzellenkenndaten optimiert. Im zweiten Schritt wurden dann unterschiedliche Bauelementstrukturen für SnS-Solarzellen in Substrat- und Superstratkonfiguration näher betrachtet. Dabei wurden verschiedene Frontkontakte (ITO, AZO), Pufferschichten (CdS, CdOxSy, In2S3, SnS2) und Rückkontakte (Au, Mo, CuxS/Au) eingesetzt. Die Bandanpassung zwischen SnS und diesen Materialien wurde mittels Photoelektronenspektroskopiemessungen bestimmt. Zusätzlich wurden die SnS-Schichten hinsichtlich Korngröße und Kristallorientierung auf den verschiedenen Substraten mit dem Rasterelektronenmikroskop und Röntgendiffraktometer charakterisiert. Durch die Verknüpfung von Bandanpassung und Morphologie mit den Kenndaten der Solarzellen konnten die Vor- und Nachteile des thermischen Verdampfens und auch die derzeitige Limitierung der SnS-Solarzellen aufgezeigt werden. Während gute Kurzschlussstromdichten von bis zu 19 mA/cm² erzielt werden konnten, wurden maximal Leerlaufspannungen von 200 mV erreicht. Auf der Grundlage der bestimmten Bandanpassungen konnte geschlussfolgert werden, dass diese geringe Leerlaufspannung durch Fermi-Level-Pinning im SnS bedingt wird. Dieses gilt es zu überwinden, um hocheffiziente SnS-Dünnschichtsolarzellen herstellen zu können.