Diese Arbeit adaptiert die Dünnschichtwachstumsmethodik der reaktiven Molekularstrahlepitaxie für das Wachstum von Hafniumoxidschichten, ein high-k Dielektrikum welches inziwschen kommerziellen Einsatz in Feldeffekttransistoren anstatt SiO2 findet. Nach einer Wachstumsparameteroptimierung und Test unterschiedlicher Substrate konnten epitaktische Hafniumoxidschichten auf c-cut Saphir Substraten mit hoher Kristallqualität gewachsen werden. Nach der Wachstumsoptimierung wurde nun gezielt der Einfluss der Sauerstoffstöchiometrie auf die physikalischen Eigenschaften von Hafniumoxidschichten untersucht. Eine dramatische Änderung der optischen Eigenschaften wurde deutlich durch eine Farb- und Transparenzänderung von farblos, transparent für stöchiometrisches Hafniumoxid hin zu schwarz, opak für defizitäre Schichten. Die optische Bandlücke konnte in einem weiten Bereich von mehr als ein eV gezielt als Funktion der Sauerstoffdefizienz eingestellt werden und verdeutlicht die in situ Defektformation in den gewachsenen Hafniumoxidschichten als Funktion der Sauerstoffdefizienz. Darüber hinaus wurden ein Metall-Isolator Übergang in defizitärem Hafniumoxid als Funktion der Defizienz mit p-Leitung, Ladungsträgerkonzentrationen von 6 x 10 hoch 21 cm-3, spezifischen Widerständen von 300 µWcm und Mobilitäten von 2 cm²/(Vs) entdeckt. Anhand zahlreicher Messergebnisse erscheint die beobachtete p-Leitung intrinsicher Natur und wird nicht durch eine Metall-Isolator Perkolation hervorgerufen. Die gewonnenen Ergebnisse wurden in ein einfaches Defektbandmodell überführt. Schlussendlich konnten keine Beweise für die Existenz von hoch-Tc Ferromagnetismus bzw. d0-Ferromagnetismus in defizitären und Ni-dotierten Hafniumoxidschichten gefunden werden.