Ternäre Oxide auf Wismut-Basis gelten aufgrund ihrer abstimmbaren Struktur und ihrer geeigneten Energiebandpositionen als vielversprechende Photoanodenmaterialien im Bereich der photoelektrochemischen Wasserspaltung. Ein tiefgreifendes Verständnis der Bulkdefekte in den Struktur-Aktivitäts-Beziehungen und der Grenzflächen-Ladungstransferkinetik fehlt jedoch noch, ist aber für die Entwicklung optimal funktionierender Photoelektroden erforderlich. In der vorliegenden Arbeit wurden die Auswirkungen von Sauerstoffleerstellen (OVs) in BiOCl und die damit verbundenen flachen und tiefen Defektzustände auf den Photostrom untersucht. Die Ergebnisse zeigten, dass flache Defektzustände, die als Elektronensenken fungieren, die Trennung von Ladungsträgern effektiv beschleunigen und den Photostrom deutlich erhöhen können, während tief liegende Oberflächenzustände als Rekombinationszentren wirken und den Photostrom beeinträchtigen. Neben BiOCl wurde der Einfluss der Mo-Dotierung in BiVO_4 auf den Photostrom, die Photospannung und die Ladungsträgerdynamik untersucht. Die Ergebnisse zeigten, dass sowohl die Dunkel- als auch die Photostromdichte von BiVO_4 in der OER hauptsächlich durch den Grenzflächen-Ladungsträgerwiderstand (R_{ct}) und nicht durch den Volumenwiderstand (R_{bulk}) begrenzt wird. Diese Schlussfolgerung bestätigt, dass die Erhöhung der Bulk-Ladungsträgerkonzentration kein entscheidender Faktor für eine verbesserte OER-Effizienz von BiVO_4 ist, was mit der Beobachtung übereinstimmt, dass der Photostrom von BiVO_4 durch Oberflächenrekombination begrenzt wird. Auf der Grundlage der BiVO_4-Ergebnisse schlagen wir ein Halbleiter-Elektrolyt-Grenzflächenmodell vor, bei dem die an der Oberfläche akkumulierte Lochdichte in BiVO_4- und Mo-dotierten BiVO_4-Proben während der Wasseroxidation durch beleuchtungsabhängige Mott-Schottky-Messungen bestimmt werden kann. Mit diesem Modell zeigen wir, dass sich die Lochtransferrate linear proportional zur Oberflächen-Lochdichte auf einer log-log Skala verhält. Sowohl die Wasseroxidation auf BiVO_4 als auch Mo-dotiertem BiVO_4 folgen bei niedrigen Oberflächen-Lochdichten einer Reaktionskinetik erster Ordnung, was in guter Übereinstimmung mit der Literatur ist. Außerdem stellen wir fest, dass die aktiven Stellen für die Wasseroxidation sowohl in BiVO_4 als auch in Mo-dotiertem BiVO_4 sehr wahrscheinlich Bi^{5+} Spezies sind, die durch photoangeregte oder/und elektroinduzierte Oberflächenlöcher erzeugt werden, und nicht VO_x-Spezies oder Mo^{6+} Spezies, da deren Redoxpotential für die Wasseroxidation nicht ausreicht. Unser Modell vermittelt ein relativ vollständiges physikalisches Bild der Erzeugung und des Transfers der photo(elektro)-induzierten Löcher sowie ihrer Akkumulation und Verteilung innerhalb der Raumladungszone (SCR) von Halbleitern und der mit Oberflächenlöchern verbundenen Wasseroxidationskinetik.