Schidleja, Martin (2010)
Ladungsträgerinjektion in ambipolare, leuchtende Feldeffekttransistoren.
Technische Universität Darmstadt
Ph.D. Thesis, Primary publication
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Item Type: | Ph.D. Thesis | ||||
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Type of entry: | Primary publication | ||||
Title: | Ladungsträgerinjektion in ambipolare, leuchtende Feldeffekttransistoren | ||||
Language: | German | ||||
Referees: | von Seggern, Prof. Dr. Heinz ; Jaegermann, Prof. Dr. Wolfram | ||||
Date: | 24 October 2010 | ||||
Place of Publication: | Darmstadt | ||||
Date of oral examination: | 29 September 2010 | ||||
Abstract: | Der organische lichtemittierende Transistor (OLEFET) ist ein neues Bauteil der organischen Elektronik, das grundsätzlich das Leuchten der organischen Leuchtdiode (OLED) mit der Geometrie und den Schalteigenschaften des organischen Feldeffekttransistors (OFET) kombiniert. In dieser Arbeit werden ambipolare OLEFETs basierend auf verschiedenen organischen Halbleitern realisiert und bezüglich ihrer Bauteileigenschaften untersucht. Der Schwerpunkt ist hierbei auf die Charakterisierung der Injektionseigenschaften von Elektronen und Löchern in den Halbleiter gelegt. In Bauteilen, bei denen analog zum klassischen Transistoraufbau das gleiche Metall für Source und Drain verwendet wird, zeigt sich ein signifikanter Einfluss der Ladungsträgerinjektion auf das gesamte Bauteilverhalten. Diese kontaktlimitierten Bauteile werden im Rahmen eines Transistormodells analysiert, in dem die nichtlinearen Widerstände für die Ladungsträgerinjektion berücksichtigt sind. In anderen Bauteilen ist das Konzept der OLED auf den OLEFET übertragen, indem unterschiedliche Metalle für die Kontakte verwendet werden, um die Injektion beider Ladungsträgersorten zu optimieren. Der Ladungstransport in diesen Bauteilen ist hauptsächlich durch die Eigenschaften des Transistorkanals bestimmt und wird bezüglich der Transportparameter und der zeitlichen Stabilität untersucht. Die Bauteile mit den angepassten Kontakten zeigen eine vollständig andere Lumineszenzcharakteristik als die kontaktlimitierten OLEFETs, insbesondere durch das Auftreten von Lumineszenz in den unipolaren Transportbereichen. Dieses Phänomen, das durch die Verhältnisse an der Metall/Organik-Grenzfläche bestimmt ist, wird im Hinblick auf den Informationsgehalt über die Kontaktbildung analysiert. |
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Alternative Abstract: |
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Uncontrolled Keywords: | Feldeffekttransistor, ambipolar, Licht, Lichtemission, Kontakt, Ladungsträgerinjektion, Rekombinationszone | ||||
Alternative keywords: |
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URN: | urn:nbn:de:tuda-tuprints-23153 | ||||
Classification DDC: | 500 Science and mathematics > 500 Science 500 Science and mathematics > 540 Chemistry 500 Science and mathematics > 530 Physics |
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Divisions: | 11 Department of Materials and Earth Sciences > Material Science 11 Department of Materials and Earth Sciences 11 Department of Materials and Earth Sciences > Material Science > Electronic Materials |
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Date Deposited: | 09 Nov 2010 10:55 | ||||
Last Modified: | 08 Jul 2020 23:48 | ||||
URI: | https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/id/eprint/2315 | ||||
PPN: | 228598141 | ||||
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