Funktionale Metalloxid-Halbleiter (MOS) und high-k-Dielektrika besitzen, aufgrund der Realisierung von niedrigen Betriebsspannungen sowie verbesserter TFT Leistungseigenschaften, ein enormes Potenzial in Zukunft die herkömmliche Silizium/Siliziumdioxid Materialkombination in elektronischen Geräten zu ersetzen. Dabei ermöglicht die lösungsbasierte Prozessierung von Metalloxiden eine kostengünstige und großflächige Herstellung von Dünnschichttransistoren und bietet eine einfache Methode zur Feinabstimmung der elektrischen Eigenschaften durch Modifikation der Material-zusammensetzung und Optimierung der Prozessbedingungen. Da für den Einsatz häufig verwendeter Vorläufer, wie z.B. Metallsalze, hohe Zersetzungstemperaturen sowie die Zugabe von Stabilisatoren oder anderen Additiven erforderlich ist, haben wir im Verlauf dieser Arbeit definierte molekulare Vorläufer synthetisiert, um eine hohe Qualität der funktionalen Metalloxid-Dünnschichten zu erreichen. Diese Vorläufer weisen verschiedene äußerst attraktive chemische Eigenschaften auf, wie z.B. Luftstabilität, hohe Löslichkeit in wässrigen oder organischen Lösungsmitteln, reduzierte Zersetzungstemperaturen sowie die Fähigkeit zur Prozessierung durch Photoaktivierung und könnten daher zur Herstellung von flexibler Eklektronik beitragen. Im Verlauf dieser Arbeit gelang es die lösungsbasierte Synthese von dielektrischen AlxOy- und YxOy-Dünnschichten bei moderaten Temperaturen zu realisieren, wobei die molekularen Vorläuferverbindungen Tris(diethyl-2-nitromalonato)aluminium(III) (Al-DEM-NO₂) und Bis(diethyl-2-nitromalonato)-nitrato-yttrium(III) (Y-DEM-NO₂) eingesetzt wurden. Diese Komplexe besitzen nitro-funktionalisierte Diethylmalonato-Liganden, wodurch das exotherme Zersetzungsverhalten gesteigert wird. Infolgedessen weisen bei 250 °C prozessierte Kondensatoren bereits gute dielektrische Eigenschaften auf. Prozesstemperaturen von 350 °C ermöglichen die Herstellung von Kondensatoren mit ausgezeichneten dielektrischen Eigenschaften mit Dielektrizitätskonstanten k(AlxOy) = 11,9 und k(YxOy) = 14,9 sowie sehr geringe Leckstromdichten von J ≤ 10⁻⁹ A cm⁻² bei 1 MV cm⁻¹ und zufriedenstellende elektrische Durchbruchspannungen von EB > 2 MV cm⁻¹. Des Weiteren ermöglichte die Synthese der jeweiligen Metalloxide bei 350 °C die Herstellung von Dünnschichttransistoren, wobei ein ebenfalls aus Lösung prozessierter IZO-Halbleiter verwendet wurde. TFTs basierend auf dem amorphen AlxOy Dielektrikum weisen eine Mobilität µₛₐₜ von 7,1 cm² V⁻¹ s⁻¹, eine Unterschwellenspannung Vₜₕ von 8,7 V und ein Strom-Ein/Aus-Verhältnis Ion/off von 1,4 × 10⁵ auf, während auf YxOy basierende TFTs eine Mobilität µₛₐₜ von 2,1 cm² V⁻¹ s⁻¹, Vₜₕ von 6,9 V und Ion/off von 7,6 · 10⁵ aufweisen. Darüber hinaus ermöglichten die Malonato-Komplexe die erfolgreiche Synthese verschiedener Kompositionen des amorphen ternären Metalloxids YAlxOy. Hier konnte eine Sättigung bei einem Einschluss von 30 Mol-% Yttrium (30-YAlxOy) in das AlxOy-Gitter festgestellt werden. Zudem zeigte die Komposition 30-YAlxOy, unter den untersuchten Zusammensetzungen, die beste dielektrische Gesamtleistung, mit k = 12,5, J = 1,1 · 10⁻⁹ A cm⁻² bei 1 MV cm⁻¹ und EB > 3,7 MV cm⁻¹. Darüberhinaus weisen Kapazitätsmessungen eine nur sehr geringe Frequenz-dispersion auf. Die Integrierung des 30-YAlxOy-Dielektrikums in Dünnschichttransistoren führte zu TFTs mit guten elektrischen Eigenschaften mit µₛₐₜ = 2,6 cm² V⁻¹ s⁻¹, Vₜₕ = 12,4 V und Ion/off = 1,8 x 10⁷. Zusätzlich wurden die Malonato-Vorläufer auf ihr Potenzial hinsichtlich der Photoaktivierung von dielektrischen Metalloxiden untersucht. Hier gelang die gewünschte photolytische Zersetzung des Al-DEM-NO₂-Vorläufers durch Bestrahlung im tiefen UV-Bereich (λ = 160 nm). Dielektrische AlxOy-Filme, prozessiert bei 150 ° C, besitzen hervorragende dielektrische Eigenschaften (k = 9,0, d = 52 nm, J = 1,7 × 10⁻⁹ A cm⁻² und EB = 4,1 MV cm⁻¹) und eignen sich somit für die Abscheidung auf Kunststoffsubstraten für die Anwendung in flexibler Elektronik. Zudem konnte die Synthese von dielektrischen Metalloxid-Filmen aus wässriger Lösung, unter Verwendung thermisch höchst labiler Vorläufer, erfolgreich demonstriert werden. Dazu wurden definierte Harnstoffnitrat-Koordinationsverbindungen von Aluminium und Yttrium mit den Zusammensetzungen [Al(CH₄N₂O)₆](NO₃)₃ und [Y(CH₄N₂O)₄(NO₃)₂](NO₃) hergestellt. Kondensatoren basierend auf dem amorphen AlxOy Dielektrikum wurden bei einer moderaten Temperatur von 250 ºC prozessiert und weisen einen sehr hohen spezifischen Kapazitätswert von 184 nF cm⁻² und eine sehr geringe Leckstromdichte von J ≤ 10⁻⁹ A cm⁻² bei 1 MV cm⁻¹ auf, während YxOy-Filme erst bei Prozesstemperaturen T ≥ 300 ºC dielektrisches Verhalten zeigen. DSC Analysen bestätigen die starke exotherme Zersetzung der Vorläufer durch die Harnstoff-Nitrat-Reaktion bei unterschiedlichen initial Temperaturen. Zusätzlich wurde dieser Prozessierungsansatz, auf die Herstellung von multinären amorphen IGZO-Halbleitern übertragen, indem Harnstoffnitratverbindungen von Indium, Gallium und Zink hergestellt wurden. Dabei zeigen IGZO-basierte TFTs eine aktive TFT-Leistung bei Prozesstemperaturen von lediglich 200 ° C. TFTs die bei 300 °C kalziniert wurden weisen gute elektronische Eigenschaften mit µₛₐₜ = 1,7 cm² V⁻¹ s⁻¹ und Ion/off > 10⁷ auf. Darüber hinaus wurden in dieser Arbeit indiumfreie, halbleitende ZTO-Filme untersucht. Dazu wurde der neuartige Sn(II)-Oximato Vorläufer synthetisiert und zusammen mit dem etablierten Zn-Oximato Vorläufer aus Lösung prozessiert. Mit Hilfe der EPR-Spektroskopie konnte eine höhere Defektkonzentration für SnO2 im Vergleich zu ZnO nachgewiesen werden, wodurch ein erhöhter Sn-Gehalt von Sn:Zn = 7:3 für die optimale TFT Gesamtleistung notwendig ist. Dabei resultieren Prozesstemperaturen von 350 °C in TFTs mit µₛₐₜ = 5,18 cm² V⁻¹ s⁻¹, Vₜₕ = 7,5 V und Ion/off = 6 x 10⁸.