Wellenlängenabstimmbare Bauteile werden in vielen Bereichen benötigt, für Spektroskopie von Gasen, bei biomedizinischen Absorptionsexperimenten, in wellenlängenmultiplex Netzwerken zur optischer Datenübertragung und vielen weiteren. üblicherweise sind die Abstimmbereiche der Bauteile durch die eingesetzte Technologie begrenzt, sodass sie sehr spezifisch für ihren Einsatzbereich konstruiert werden müssen. Wenn der Bereich nun erweitert wird, kann ein einziges Bauteil für mehrere Einsatzzwecke benutzt werden, wodurch die Menge an benötigten unterschiedlichen Geräten verringert werden kann. Zum Beispiel kann ein wellenlängenabstimmbarer Laser für ein optisches Datennetzwerk um 1550 nm verwendet werden, welcher sowohl das L- als auch das C-Band bedienen kann (1530 bis 1625 nm). Dies erlaubt eine erhöhte Flexibilität, sei es durch das Ermöglichen von Modulationsverfahren, welche eine änderung der Wellenlänge fordern. Oder es verringert den benötigten Lagerbedarf, da nur noch eine Sorte an Ersatzlasern für alle Kanäle bereitgehalten werden muss. In den vergangenen zwei Jahrzehnten wurden wellenlängenabstimmbare Laser vorgestellt, einer Kombination aus VCSEL (oberflächenemittierende Halbleiterlaser) und SiO-SiN MEMS-DBR, welche bis zu 107 nm Abstimmung um 1550 nm erlauben. Nun ist es an der Zeit die materialspezifischen Beschränkungen dieser Braggspiegel (DBR) zu überwinden. Der Einsatz von SiN und SiO erlaubt nur einen Brechungsindexunterschied von 0,45 und damit nur eine Stopbandbreite hoher Reflektivität um 1550 nm von 120 nm. In dieser Arbeit wird Siliziumcarbid (SiC) als Ersatz für SiN vorgestellt. Gepaart mit SiO sind dadurch Braggspiegel mit einem Brechungsindexunterschied von 1 möglich. Dies verdoppelt die Stoppbandbreite und reduziert gleichzeitig die benötigte Anzahl an Schichtpaaren, um dieselbe Reflektivität zu erlangen. Letztendlich wird dadurch der Abstimmbereich erweitert und die Möglichkeit zur Verringerung der Bauteile erschaffen. Der erste Schritt zu einem MEMS-DBR abstimmbaren Fabry-Pérot VCSEL ist die Untersuchung des neuen Materials in Form von passiver Filter, agierend nach demselben Prinzip. MEMS steht dabei für mikroelektromechanisches System. Ein Fabry-Pérot Resonator besteht hierbei aus zwei Braggspiegeln - einem festen und einem beweglichen - welche durch einen veränderbaren Luftspalt voneinander getrennt sind. Durch eine Verschiebung des beweglichen MEMS-DBR kann die resonante Wellenlänge kontinuierlich verändert werden. Zunächst wurden einzelne Schichten untersucht, gewachsen durch eine plasmaunterstützte Gasphasenabscheidung (PECVD) bei niedrigen Temperaturen, um die Prozessverträglichkeit mit den VCSEL Substraten zu gewährleisten. Danach wurden Schichtstapel abgeschieden und in der MEMS Form strukturiert, welche schließlich sowohl elektrothermisch, als auch elektrostatisch ausgelenkt werden konnten, um die Resonatorlänge und schließlich die Transmissionswellenlänge zu verändern. Erste Test zeugten von Erfolg, jedoch war der Abstimmbereich durch die große Resonatorlänge begrenzt. Um den freien Spektralbereich zu vergrößern musste die Kavität verkleinert werden. Durch das Erstellen eines Comsol Multiphysics Modells für SiO-SiC MEMS-DBR, welches Pakete für strukturmechanische und elektrothermische Begebenheiten verwendet, konnte die Anzahl an experimentellen Versuchen verringert werden. Veränderungen von verschiedenen Parametern ergab, dass die laterale Größe der MEMS mindestens um den Faktor 2 verkleinert werden muss. Der Luftspalt konnte durch eine entsprechende Umgestaltung der Photolithographiemasken auf 1 bis 4 Mikrometer erfolgreich reduziert werden. Diese Filter konnten um mehr als 250 nm um 1550 nm abgestimmt werden. Begrenzt war dies lediglich durch die Messgeräte. Darüber hinaus hat die Erhöhung der DBR Schichtpaare eine schmale Transmissionsbandbreite unter 30 pm (oder 4 GHz) über einen Abstimmbereich von über 250 nm um 1550 nm zur Folge. Die MEMS-DBR Oberflächenmikrostrukturierungstechnologie wurde nach erfolgreichen Tests mit Filtern auf Photodioden- und VCSEL-Substrate übertragen. Sowohl SiO-SiN, als auch SiO-SiC MEMS-DBR abstimmbare Photodioden konnten benachbarte Laser eines DWDM Rasters von 100 GHz oder 0,8 nm detektieren und unterscheiden. SiO-SiC MEMS-DBR VCSEL zeigten lediglich einen Abstimmbereich von 57 nm um 1530 nm aufgrund von prozessbedingter Aspekte. Das große Potential für einen viel größeren Abstimmbereich konnte innerhalb des Zeitfensters dieser Arbeit nicht mehr ausgeschöpft werden. SiO-SiC MEMS-DBR abstimmbare VCSEL zeigen aber bereits jetzt eine viel kleinere Empfindlichkeit auf Temperaturschwankungen im Vergleich zu bisher veröffentlichten SiO-SiN MEMS-DBR VCSEL. Dies verringert den äußeren Einfluss auf temperaturbedingte Wellenlängenänderung drastisch.