In dieser Arbeit wurden die Grenzflächen und das Wachstum der Volloxid-Dünnschichtvaraktoren mittels gepulster Laserabscheidung untersucht. Diese Varaktoren bestehen aus SrMoO3/(Ba,Sr)TiO3/Pt/Au Schichten und haben mehrere Vorteile gegenüber Dünnschicht-Varaktoren mit Platin Bodenelektroden wie z.B. defektfreies, epitaktisches Wachstum. Darüber hinaus führten neue Grenzflächenmaterialien und optimiertes Wachstum zu einer Verbesserung der Volloxid-Varaktor Performanz, die das Niveau konkurrierender, hochmoderner Technologie auf Platinbasis übertrifft. Ein Schlüsselerfolg für diese Leistungssteigerung war das schnelle Wachstum mehrerer Mikrometer dicker SrMoO3 Bodenelektroden. Obwohl diese mit einer außergewöhnlich hohen Rate von 1 µm in nur 45 Minuten abgeschieden werden, weisen sie eine hohe Leitfähigkeit und niedrige Defektdichte sowie eine atomar flache Grenzfläche zu der dielektrischen Schicht auf. Der Einfluss verschiedener Substrate mit unterschiedlichen Gitterkonstanten auf das SrMoO3-Wachstum wurde ebenfalls untersucht, einschließlich dem industriell relevanten Substrat Silizium. Epitaktisches Wachstum wurde für Silizium und eine Vielzahl von Skandaten realisiert, was durch Messungen des reziproken Raums nachgewiesen wurde. Um die reduktiven Wachstumsbedingungen der Bodenelektrode mit dem benötigten sauerstoffhaltigen Hintergrunddruck während des Wachstums des Dielektrikums zu vereinen, wird eine Sauerstoffdiffusionsbarriere implementiert. Um die Titanatverbindung mit der besten Sauerstoffdiffusionsbarriere zu finden wurde eine neuartige Messroutine unter Verwendung der Röntgen-Photoelektronenspektroskopie entwickelt. Zusätzlich zu qualitativen Vergleichen der verschiedenen Titanatverbindungen wurden quantitative Diffusionsbarrieregrenzen für die leistungsfähigste Verbindung, Ba0.5Sr0.5TiO3, wie z.B. Temperatur und Hintergrunddruck bestimmt. Dies ermöglichte das Wachstum des Dielektrikums bei höheren Sauerstoffpartialdrücken, was zu einer ausreichenden Oxygenierung der dielektrischen Schicht und zu einer Abnahme des Leckstroms von mehreren Größenordnungen führt. Diese Ergebnisse wurden in hochleistungsfähigen Volloxid-Varaktoren angewendet, sowohl auf dem GdScO3- als auch auf Siliziumsubstraten. Kurzgefasst konnte ein schnelles und mikrometerdickes Wachstum von SrMoO3 und eine neuartige Sauerstoffdiffusionsbarriere etabliert werden, womit die Performanz von Volloxid-Varaktoren erhöhen werden und die Machbarkeit dieser Technologie für Mikrowellenanwendungen gezeigt werden.