We have investigated the electronic properties of the CuGaSe₂/In2S₃ heterointerface by photoelectron spectroscopy. In₂S₃ was evaporated by physical vapor deposition onto contamination free polycrystalline CuGaSe₂ surface prepared by the selenium decapping process. A valence band offset DEVB=0.78±0.1 has been determined.

Sprache

Englisch

Fachbereich/-gebiet

11 Fachbereich Material- und Geowissenschaften > Materialwissenschaft > Fachgebiet Oberflächenforschung

DDC

500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik

Institution

Universitäts- und Landesbibliothek Darmstadt

Ort

Darmstadt

Titel der Zeitschrift / Schriftenreihe

Applied Physics Letters

Startseite

961

Endseite

963

Jahrgang der Zeitschrift

Heftnummer der Zeitschrift

ISSN

1077-3118

Verlag

AIP Publishing

Publikationsjahr der Erstveröffentlichung

2004

Verlags-DOI

10.1063/1.1779340

PPN

503668540