Festkörperentnetzen dünner Bismutschichten: Quantitative Analyse von crystal truncation rods

Die Festkörperentnetzung dünner Bismutschichten wurde mithilfe von Röntgenbeugung und der anschließenden Anpassung eines physikalischen Modells an die gemessenen crystal truncation rods analysiert. Dabei wurde der Enentzungsmechanismus der Schichten aufgeklärt und der Einfluss eines dehnungsgradienten und einer Oxidschicht auf das Entnetzungsverhalten diskutiert. Beides führt zu einer behinderung der Entnetzung und damit einer erhöhten Entnetungstemperatur, die anhand von Modellen erklärt wird.

The solid state dewetting of thin Bismuth films was analyzed using x-ray diffraction and the subsequent fitting of a physical model to the measured crystal truncation rods. The dewetting behavior of the layers was elucidated and the influence of a strain gradient and an oxide layer on the dewetting was discussed. Both lead to an impediment of dewetting and thus to an increased dewetting temperature, which is discussed on the basis of models.