Dioden und Transistoren auf der Basis von nasschemisch synthetisierten ZnO-Nanopartikeln

ZnO Nanopartikel werden nasschemisch synthetisiert und als aktives Halbleitermaterial in Dioden und Transistoren verwendet. Bei der elektrischen Charakterisierung der ZnO Nanopartikel Dioden wird ein starker Einfluß der Partikelgeometrie auf das Kennlinienverhalten deutlich. Im Vergleich mit Dioden aus gesputtertem ZnO zeigen die Kennlinien der Dioden aus ZnO Nanopartikeln ein invertiertes Durchlassverhalten. Die Ursache dieser Invertierung wird untersucht und erklärt. An Transistoren auf der Basis von ZnO Nanopartikeln wird der Einfluß von verschiedenen Athmosphären demonstriert und die zugrundeliegenden Effekte erörtert.

Wetchemical synthesized ZnO nanoparticles are used as active semiconducting material in diodes and transistors. Electrical characterization shows a huge impact of the nanoparticle geometry on the I-V-curve of the device. Compared to a diode based on sputtered ZnO the nanoparticle based device shows inverted I-V-characteristics. This work explains the origin of this unexpected behaviour. The effect of different athmospheres on the I-V -characteristics of ZnO nanoparticle based transistors is shown and investigated.