Diese Dissertation behandelt die Einflüsse von Sauerstoff, Wasser und optischer Bestrahlung auf Poly(3-hexylthiophen) (P3HT)-basierte organische Feldeffekttransistoren (OFETs) in Top-Gate Geometrie. Die Stabilitäten bzw. Bauteileigenschaften im Betrieb in Abhängigkeit von äußeren Einflüssen werden charakterisieren. Es erfolgt eine Analyse der optischen, thermischen und elektronischen Eigenschaften der eingesetzten Organiken und der daraus resultierenden Bauteile. Des Weiteren werden auftretende Instabilitäten im Bauteilverhalten und damit verbundene Anforderungen an die äußeren Bedingungen vorgestellt und diskutiert. Hier wird sowohl gezeigt, dass Sauerstoff in die Bauteile eindiffundieren kann und Defektzustände in P3HT induziert, als auch unter welchen Bedingungen eine Besetzung dieser Defekte oder Ladungsträgerfallen erfolgen kann. Die Stabilität der Defekte wird offenbart und die Diffusion von Sauerstoff aus dem Bauteil heraus untersucht. Neben der Erzeugung und der Eliminierung der Falle wird aufgezeigt, wie die elektronische Entleerung der besetzten Fallen erfolgt. Am Ende dieser Dissertation werden die gefundenen Ergebnisse zu einem modellhaften Gesamtbild zusammengefügt und kritisch diskutiert.