TUD Technische Universität Darmstadt
Hessische Landes-und Hochschulbibliothek
HLuHB

EPDA - Elektronische Publikationen Darmstadt


Autor: Kerber, Andreas
Titel:Methodology for Electrical Characterization of MOS Devices with Alternative Gate Dielectrics
Dissertation:TU Darmstadt, Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, 2004

Die Dokumente in PDF 1.3 (mit Adobe Acrobat Reader 4.0 zu lesen):

DateinameInhaltFormatGröße (Byte) Kommentar
Thesis_AK_part_1.pdf part_1 3975463
Thesis_AK_part_2.pdf part_2 4179260
Thesis_AK_part_3.pdf part_3 2763529

Abstract auf Deutsch:


Aufgrund der raschen Miniaturisierung von komplementären Metall Oxyd Halbleiter (CMOS) Schaltkreisen werden die physikalischen Grenzen von Dielektrika auf SiO2 Basis in naher Zukunft erreicht. Verschiedene alternative dielektrische Materialien werden derzeit intensiv als Ersatz für SiO2 untersucht. In dieser Arbeit werden vorwiegend der Ladungseinfang und die Zuverlässigkeit von SiO2 / Al2O3 and SiO2 / HfO2 Schichten diskutiert. Aufgrund transienter Lade / Entladevorgänge werden schnelle Messverfahren im Ás Bereich vorgestellt.


Abstract auf Englisch:

Aggressive scaling of Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) devices is driving SiO2 based gate dielectrics to its physical limits. Currently several alternative dielectric materials are being studied extensively as replacement for SiO2. This work mainly discusses charge trapping and the dielectric reliability of SiO2 / Al2O3 and SiO2 / HfO2 dual layer gate dielectrics. Due to the presence of transient charging / discharging effects measurement techniques down to the Ás time range are being introduced.

Dokument aufgenommen :2004-02-06
URL:http://elib.tu-darmstadt.de/diss/000404