TU Darmstadt / ULB / Digital Publishing with tuprints

Einfluss der Dotierung organischer Halbleiter auf den Feldeffekt

Login | Create Account

Ahles, Marcus :
Einfluss der Dotierung organischer Halbleiter auf den Feldeffekt.
[Online-Edition]
TU Darmstadt
[Ph.D. Thesis] , (2006)

[img]
Preview
 [PDF]
Download (1993Kb) | Preview

    Abstract

    Gegenstand dieser Arbeit ist die Realisierung einer integrierten komplementären Schaltung auf Basis des organischen Halbleiters Pentacen. Hierzu werden organische Feldeffekttransistoren (OFETs) als elementare Schaltelemente zum Einsatz gebracht, wobei sowohl OFETs, die im Elektronenakkumulationsmodus, als auch OFETs, die im Löcherakkumulationsmodus arbeiten, benötigt werden. Für die Integration einer derartigen Schaltung sind vergleichbare Transporteigenschaften von Elektronen und Löchern innerhalb eines Halbleitermaterials von entscheidendem Vorteil. Um diese Zielsetzung zu erreichen, ist es notwendig, ein grundlegendes Verständnis des Feldeffekts in organischen Halbleitern zu erhalten und auf prinzipielle Unterschiede zwischen organischen und anorganischen Halbleitern einzugehen. Insbesondere wird in diesem Zusammenhang der Einfluss der Dotierung von organischen Halbleitern auf die elektrischen Eigenschaften von OFETs studiert.

    Item Type: Ph.D. Thesis
    Erschienen: 2006
    Creators: Ahles, Marcus
    Title of the item: Einfluss der Dotierung organischer Halbleiter auf den Feldeffekt
    Language of the item: Deutsch
    Keywords/Subjects (SWD): Organischer Halbleiter, Feldeffekt, Dünnschichttransistor, CMOS, Inverter, Dotierung, Pentacen, MIS-Diode, Ambipolarer Ladungstransport
    Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikation (DDC): UNSPECIFIED
    Division(s): Fachbereich Material- und Geowissenschaften
    Date Deposited: 17 Oct 2008 11:22
    Last Modified: 05 May 2011 18:58
    Official URL: http://elib.tu-darmstadt.de/diss/000660
    URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-6603
    Lizenz (Kurzform): Einfaches Publikationsrecht für die ULB Darmstadt
    Referees: von Seggern, Prof. Dr.-Ing. Heinzand Rehahn, Prof. Dr. rer. nat. Matthias
    Date of refereeing/review / Verteidigung / mdl. Prüfung: 26 January 2006
    Title (translated) (übersetzt):
    Title (translated)Language of translated title
    Influence of doping of organic semiconductors on the field-effectEnglish
    Abstract (translated):
    Abstract (translated)Language of translated abstract
    In this work the realization of an integrated complementary circuit based on pentacene as organic semiconductor is presented. Therefore organic field-effect transistors (OFETs) as basic constituents are employed. Both OFETs working in electron enhancement mode and OFETs working in hole enhancement mode are required. For integration of such a complementary circuit similar transport properties of electrons and holes in one organic semi-conducting material are advantageous. To achieve this aim an understanding of the underlying field-effect is required and fundamental differences between organic and inorganic semiconductors have to be taken in account. In this context the influence of doping of the organic semiconductor on the electrical properties of OFETs will be studied in particular.English
    URI: http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/id/eprint/660
    Export:

    Actions (Login required)

    		 View Item
    OAI 2.0-Basis-URL: http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/cgi/oai2 tuprints runs on EPrints 3.
    Drucken | Imprint | Sitemap | Search top