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Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen

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Fritsche, Rainer :
Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen.
[Online-Edition]
TU Darmstadt
[Ph.D. Thesis] , (2005)

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    Abstract

    Das Ziel dieser Arbeit ist die Umsetzung des Konzeptes der Quasi-van der Waals-Epitaxie als eine neue Perspektive zur Integration reaktiver und gitterfehlangepasster Materialien in die Silizium-Technologie. Die experimentelle Charakterisierung dieses Ansatzes erfolgt in zwei aufeinander aufbauenden Abschnitten. Zunächst wird die chemische und elektronische Passivierung eines dreidimensionalen Substrates (Silizium) mittels einer ultra-dünnen Pufferschicht aus der Materialklasse der Schichtgitter-Chalkogenide (GaSe) untersucht. Die auf diese Weise modifizierte Substrat-Oberfläche (Si(111):GaSe) besitzt eine inerte van der Waals-Oberfläche und dient im Folgenden als Basis für die Abscheidung der gegenüber dem nicht passivierten Substrat eigentlich reaktiven und gitterfehlangepassten Materialien (verschiedenen II-VI-Verbindungshalbleitern und Metallen). Die Charakterisierung der elektronischen und chemischen Eigenschaften der Oberflächen und Grenzflächen erfolgt mit hochaufgelöster Photoelektronenspektroskopie (SXPS). Diese Ergebnisse werden durch die Charakterisierung der Morphologie mit der Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) und der Rastertunnelmikroskopie (STM) ergänzt. (Die Arbeit ist urheberrechtlich geschützt und veröffentlicht von: Mensch & Buch Verlag, Nordendstr. 75, 13156 Berlin; Dissertation, Technische Universität Darmstadt, 2004; ISBN 3–89820–789–6)

    Item Type: Ph.D. Thesis
    Erschienen: 2005
    Creators: Fritsche, Rainer
    Title of the item: Van der Waals-terminierte Silizium (111) Oberflächen und Grenzflächen
    Language of the item: Deutsch
    Keywords/Subjects (SWD): Silicium, Van-der-Waals-Kraft, Halbleitergrenzfläche, Heteroübergang, Zwei-Sechs-Halbleiter, Galliumselenide, Heteroepitaxie, Epitaxie, Oberfläche, Grenzfläche, Metall-Halbleiter-Kontakt, Photoelektronenspektroskopie, Rastertunnelmikroskopie
    Sachgruppe der Dewey Dezimalklassifikation (DDC): 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 550 Geowissenschaften
    Division(s): Fachbereich Material- und Geowissenschaften
    Date Deposited: 17 Oct 2008 11:22
    Last Modified: 05 May 2011 18:58
    Official URL: http://elib.tu-darmstadt.de/diss/000597
    URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-5973
    Lizenz (Kurzform): Einfaches Publikationsrecht für die ULB Darmstadt
    Referees: Jaegermann, Prof.Dr. Wolframand von Seggern, Prof.Dr. Heinz
    Date of refereeing/review / Verteidigung / mdl. Prüfung: 22 October 2004
    Title (translated) (übersetzt):
    Title (translated)Language of translated title
    Van der Waals-terminated silicon (111) surfaces and interfacesEnglish
    Abstract (translated):
    Abstract (translated)Language of translated abstract
    The aim of this work is implementing the concept of quasi-van der Waals-epitaxy as a new perspective to integrate reactive and lattice mismatched systems into silicon technology. The experimental characterization of this approach is carried out by the use of two sequenced sections. First, the chemical an electrical passivation of a three-dimensional substrate (silicon) via an ultra-thin buffer-layer from the class of the layered chalcogenides (GaSe) is investigated. The in this way modified substrate surface (Si(111):GaSe) provides a inert van der Waals-surface and serves as the base for the following deposition of normally against the clean silicon substrate reactive and lattice mismatched materials (different II-VI-semiconductors and metals). The characterization of the surface and interface electronic and chemical properties takes place by high resolution photoelectron spectroscopy (SXPS). Additionally, the morphology is characterized using low energy electron diffraction (LEED) and scanning electron microscopy (STM). (This work is copyrighted and published by: Mensch & Buch Verlag, Nordendstr. 75, 13156 Berlin; Dissertation, Technische Universität Darmstadt, 2004; ISBN 3–89820–789–6)English
    URI: http://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/id/eprint/597
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