Ziel dieser Arbeit ist die Dünnschichtabscheidung arsenfreier Pniktidsupraleiter mittels reaktiver Molekularstrahlepitaxie (engl. reactive molecular beam epitaxy, r-MBE). Ausgehend von der sogenannten '1111'-Phase wird versucht, LaNiBiO1-x auf einkristallinen MgO Substraten abzuscheiden. Die abgeschiedenen polykristallinen Schichten werden mittels Röntgendiffraktometrie und Vier-Punkt-Widerstandsmessung charakterisiert, phasenreine, einkristalline Schichten werden allerdings aufgrund der nötigen Oxidationsbedingungen nicht realisiert. Daher wird anschließend der Fokus auf sauerstofffreie Schichten gelegt und es wird eine sogenannte '122'-Phase, La1-xNi2Bi2, abgeschieden. Während der Prozessparameteroptimierung wird eine neue Phase, die sogenannte '112'-Phase, ein LaNi1-xBi2, entdeckt. Das Vorgehen der Prozessparameteroptimierung zur Abscheidung dieser neuen Pahse wird detailliert beschrieben. Die einkristallinen, epitaktischen Schichten werden mittels Röntgendiffraktometer, Vier-Punkt-Widerstandsmessung und SQUID-Magnetometer untersucht. Die Schichten sind unterhalb von 4 K supraleitend. Der Einfluss des Ni- sowie des Bi-Gehalts werden untersucht. Anschlißend wird das La durch Ce substituiert, was eine Steigerung der supraleitenden Sprungtemperatur zur Folge hat. Auch hier wird der Einfluss des Ni- und Bi-Gehalts untersucht.