Die Prognose für die serielle Übertragungsgeschwindigkeit in Datenkommunikationssystemen zeigt eine kontinuierliche exponentielle Steigerung mit der Zeit. Sie skaliert direkt mit der Anzahl der integrierten Halbleiterschaltungen und stellt eine Lösung für den stetig in der Gesellschaft steigenden Bandbreitenbedarf dar. Dies führt zur Steigerung der Datenrate der einzelnen Übertragungskanäle und gleichzeitig zur effizienten Nutzung der existierenden Übertragungsnetze durch den Einsatz von Methoden wie Wavelength Division Multiplexing (WDM). Die elektrischen Schnittstellen für die einzelnen Kanäle mit Datenraten über 10 Gbit/s sind für die verschiedenen Anwendungen standardisiert worden. Die grundlegenden elektromagnetischen Limitierungen der Datenverbindungen basierend auf Kupferleitungen für Datenraten über 10 Gbit/s macht die faserbasierte Optik bei Übertragungsentfernungen oberhalb eines Meters unabdingbar. Probleme verbunden mit den elektrischen Übertragungsleitungen bei hohen Frequenzen wie z.B. hohe Verlustleistung, starke Signaldämpfung, Signalverzerrung und elektromagnetische Interferenz führen zu einer nicht aufhaltbaren und stetig fortschreitenden Verdrängung der traditionellen Kupferleitungen durch optische Kommunikationssysteme [1]. Dieser Trend fördert die Anwendung von Vertical Cavity Surface Emitting Lasern (VCSELn), Matrizen aus VCSELn und abstimmbaren VCSEL als günstige, effiziente, zuverlässige, leicht herstellbare und kompakte Laserlichtquellen für die nächste Generation von Faseroptik, Freiraumoptik, Board-zu-Board, Modul-zu-Modul, Chip-zu-Chip und auf-Chip Datenübertragung. Diese Dissertation berichtet über die Entwicklung von einem schnellen, abstimmbaren und kurzwelligen VCSEL. Das Ziel unserer Forschung war die Entwicklung eines Bauteils, das in optischen Interconnects eingesetzt werden kann. Um dieses Ziel zu erreichen ist die lange Tradition und Erfahrung des Instituts für Mikrowellentechnik und Photonik der Technischen Universität Darmstadt in der Entwicklung von Micro-Electro-Mechanical System- (MEMS-) Spiegeln für die Langwellen-VCSELs mit der langen Tradition und Erfahrung der Chalmers University of Technology in Göteborg Schweden im Entwurf und der Entwicklung von highspeed nicht abstimmbaren Kurzwellen-VCSELn zusammengeflossen. Das Walter Schottky Institut in München hat zusätzlich Wafer für die Halbleiter-Spiegel hergestellt und das IEIIT-CNR in Turin unterstützte die Arbeit mit “Cold-Cavity”-Simulationen. Die entwickelten VCSEL bestehen aus einem GaAs-basierenden Halb-VCSEL in Kombination mit einem MEMS-Spiegel. Sie zeigen eine maximale Amplitudenmodulationsbandbreite von bis 5 GHz. Dies ist nach unserem Wissen die höchste erreichte Amplitudenmodulationsbandbreite für abstimmbare VCSEL. Diese VCSEL sind auch die ersten entwickelten schnell abstimmbaren VCSEL im Kurzwellenbereich. Sie weisen eine breite Abstimmungsbandbreite von bis zu 37 nm auf. Dies stellt die größte bekannte Abstimmungsbandbreite bei VCSELn um 850 nm dar. Zusätzlich zu den geschilderten Ergebnissen, die mit Bulk-Micromachining erreicht worden sind, ist eine Surface-Micromachining-Technology erfolgreich entwickelt worden. Die Stabilisierung des Polarisationszustandes des VCSELs mit Hilfe eines “ Sub-Wavelength- Gratings” ist ebenfalls demonstriert worden. Zusätzlich sind weitere Eigenschaften der VCSEL wie Linienbreite, Fernfield, Abstimmungsgeschwindigkeit, relatives Intensitätsrauschen (RIN) und Großsignalverhalten durch Messungen untersucht worden.