%PDF-1.5 % 1 0 obj << /S /GoTo /D (chapter.1) >> endobj 4 0 obj (Einleitung) endobj 5 0 obj << /S /GoTo /D (chapter.2) >> endobj 8 0 obj (Grundlagen organischer \(Leucht-\)dioden) endobj 9 0 obj << /S /GoTo /D (section.2.1) >> endobj 12 0 obj (Organische Halbleiter) endobj 13 0 obj << /S /GoTo /D (section.2.2) >> endobj 16 0 obj (Organische \(Leucht-\)dioden) endobj 17 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.2.2.1) >> endobj 20 0 obj (Aufbau \046 Funktionsweise) endobj 21 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.2.2.2) >> endobj 24 0 obj (Ladungstr\344gerinjektion) endobj 25 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.2.2.3) >> endobj 28 0 obj (Strom-Spannungs-Charakteristika) endobj 29 0 obj << /S /GoTo /D (section.2.3) >> endobj 32 0 obj (Modellierung der elektrischen Eigenschaften von organischen Leuchtdioden) endobj 33 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.2.3.1) >> endobj 36 0 obj (Vergleich verschiedener Modellans\344tze ) endobj 37 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.2.3.2) >> endobj 40 0 obj (Selbstkonsistentes Drift-Diffusions-Modell f\374r organische Dioden) endobj 41 0 obj << /S /GoTo /D (section.2.4) >> endobj 44 0 obj (Zusammenfassung) endobj 45 0 obj << /S /GoTo /D (chapter.3) >> endobj 48 0 obj (Numerische L\366sungsverfahren f\374r das Drift-Diffusions-Modell) endobj 49 0 obj << /S /GoTo /D (section.3.1) >> endobj 52 0 obj (L\366sung mittels Schie\337verfahren) endobj 53 0 obj << /S /GoTo /D (section.3.2) >> endobj 56 0 obj (L\366sung mittels Finite-Elemente-Methode) endobj 57 0 obj << /S /GoTo /D (section.3.3) >> endobj 60 0 obj (Einflussgr\366\337en auf die L\366sbarkeit) endobj 61 0 obj << /S /GoTo /D (section.3.4) >> endobj 64 0 obj (Zusammenfassung) endobj 65 0 obj << /S /GoTo /D (chapter.4) >> endobj 68 0 obj (MIM-Dioden Systeme im statischen Gleichgewicht) endobj 69 0 obj << /S /GoTo /D (section.4.1) >> endobj 72 0 obj (Dioden im thermodynamischen Gleichgewicht) endobj 73 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.4.1.1) >> endobj 76 0 obj (Dioden mit intrinsischem Halbleiter) endobj 77 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.4.1.2) >> endobj 80 0 obj (Dioden mit homogen dotiertem Halbleiter) endobj 81 0 obj << /S /GoTo /D (section.4.2) >> endobj 84 0 obj (Dioden im statischen Gleichgewicht) endobj 85 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.4.2.1) >> endobj 88 0 obj (Dioden mit intrinsischem Halbleiter) endobj 89 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.4.2.2) >> endobj 92 0 obj (Dioden mit homogen dotiertem Halbleiter) endobj 93 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.4.2.3) >> endobj 96 0 obj (Dioden mit grenzfl\344chennah dotiertem Halbleiter) endobj 97 0 obj << /S /GoTo /D (section.4.3) >> endobj 100 0 obj (Einzelteilcheneffekte im Rahmen des Drift-Diffusions-Modells) endobj 101 0 obj << /S /GoTo /D (section.4.4) >> endobj 104 0 obj (Zusammenfassung) endobj 105 0 obj << /S /GoTo /D (chapter.5) >> endobj 108 0 obj (Impedanzmessungen - Frequenzabh\344ngige Simulation von MIM-Dioden) endobj 109 0 obj << /S /GoTo /D (section.5.1) >> endobj 112 0 obj (Grundlagen der Impedanzspektroskopie) endobj 113 0 obj << /S /GoTo /D (section.5.2) >> endobj 116 0 obj (Ableitung des frequenzabh\344ngigen Modells) endobj 117 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.5.2.1) >> endobj 120 0 obj (Die frequenzabh\344ngige Drift-Diffusions-Gleichung) endobj 121 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.5.2.2) >> endobj 124 0 obj (Die frequenzabh\344ngigen Randbedingungen) endobj 125 0 obj << /S /GoTo /D (section.5.3) >> endobj 128 0 obj (Interpretation der Impedanz in Form von resistiven und kapazitiven Elementen) endobj 129 0 obj << /S /GoTo /D (section.5.4) >> endobj 132 0 obj (Simulation und Diskussion von Impedanzmessungen) endobj 133 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.5.4.1) >> endobj 136 0 obj (Dioden mit intrinsischem Halbleiter) endobj 137 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.5.4.2) >> endobj 140 0 obj (Dioden mit dotiertem Halbleiter) endobj 141 0 obj << /S /GoTo /D (section.5.5) >> endobj 144 0 obj (Zusammenfassung) endobj 145 0 obj << /S /GoTo /D (chapter.6) >> endobj 148 0 obj (Tunnelprozesse im Rahmen des Drift-Diffusions-Modells) endobj 149 0 obj << /S /GoTo /D (section.6.1) >> endobj 152 0 obj (Ableitung des Tunnelinjektionsstroms) endobj 153 0 obj << /S /GoTo /D (section.6.2) >> endobj 156 0 obj (Die Tunnelinjektion aus einer metallischen Elektrode) endobj 157 0 obj << /S /GoTo /D (section.6.3) >> endobj 160 0 obj (Vergleich mit experimentellen Daten) endobj 161 0 obj << /S /GoTo /D (section.6.4) >> endobj 164 0 obj (Zusammenfassung) endobj 165 0 obj << /S /GoTo /D (chapter.7) >> endobj 168 0 obj (Kelvinsondenmethode) endobj 169 0 obj << /S /GoTo /D (section.7.1) >> endobj 172 0 obj (Konzept der Kelvinsondenmessung) endobj 173 0 obj << /S /GoTo /D (section.7.2) >> endobj 176 0 obj (Modell f\374r die Kelvinsondenmessung) endobj 177 0 obj << /S /GoTo /D (section.7.3) >> endobj 180 0 obj (Simulation \046 Diskussion von Kelvinsondenmessungen) endobj 181 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.7.3.1) >> endobj 184 0 obj (Intrinsische Halbleiter) endobj 185 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.7.3.2) >> endobj 188 0 obj (Dotierte Halbleiter) endobj 189 0 obj << /S /GoTo /D (subsection.7.3.3) >> endobj 192 0 obj (Vergleich mit experimentellen Daten) endobj 193 0 obj << /S /GoTo /D (section.7.4) >> endobj 196 0 obj (Zusammenfassung) endobj 197 0 obj << /S /GoTo /D (chapter.8) >> endobj 200 0 obj (Zusammenfassung) endobj 201 0 obj << /S /GoTo /D (chapter.9) >> endobj 204 0 obj (Anhang) endobj 205 0 obj << /S /GoTo /D (section.9.1) >> endobj 208 0 obj (Normierungen in Fortran-Rechnungen) endobj 209 0 obj << /S /GoTo /D (section.9.2) >> endobj 212 0 obj (Der Anreicherungskontakt) endobj 213 0 obj << /S /GoTo /D (equation.9.2.5) >> endobj 216 0 obj (Symbole \046 Abk\374rzungen) endobj 217 0 obj << /S /GoTo /D (section*.6) >> endobj 220 0 obj (Literaturverzeichnis) endobj 221 0 obj << /S /GoTo /D [222 0 R /FitV] >> endobj 229 0 obj << /Length 775 /Filter /FlateDecode >> stream xڥUn0+x$\$FMS$9m5r;8^4= ͙y3͈fQŬS` ƣjx48҆/;Pµ2#z)Q+xǾu2)rNd;Ȧܛ!:nOFg s֣#b,[ږ,#$Qcy dSWwREVeږ.}s,&ntyy,z]-2<,<>Г/&EPlޡ& };6z0tfS+M9̨i;QEHSx9͈8$<^+8 w8J28]%$yLք3o6aؼjU"`],Ѵl$ G#Oن9\CQ )7f'<Ɓ;hU%*I;yEôpǣwHy /b*P\F