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Fabrication and integration of metallic nano and micro cones for on-chip electron field emitters

Roustaie, Farough (2022)
Fabrication and integration of metallic nano and micro cones for on-chip electron field emitters.
Technische Universität Darmstadt
doi: 10.26083/tuprints-00022034
Ph.D. Thesis, Primary publication, Publisher's Version

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Item Type: Ph.D. Thesis
Type of entry: Primary publication
Title: Fabrication and integration of metallic nano and micro cones for on-chip electron field emitters
Language: English
Referees: Schlaak, Prof. Dr. Helmut F. ; Hoffmann, Prof. Dr. Martin
Date: 2022
Place of Publication: Darmstadt
Collation: xviii, 159 Seiten
Date of oral examination: 15 June 2022
DOI: 10.26083/tuprints-00022034
Abstract:

Nanotechnology enables a diversity of new effects compared to the classical physical properties of the material. The metallic wires with a dimension of less than 1 µm and a length between 10 µm to 50 µm exhibit a great aspect ratio. A high density of such wires particularly gives a great surface to volume ratio, which results in new mechanical, electrical, thermal, and chemical properties of the surfaces covered with them. These new physical and chemical effects enable a new level of more sensitive sensors like chemical, biological, gas flow, force, and inertial sensors. Also, low resistance micro switches, more efficient thermal interface materials, and room-temperature interconnects can be enabled with nanowired surfaces. The high aspect ratio of the wires enables them to be applied as a high-performance electron field emitter. For realizing these applications there is an obstacle to overcome: Vertical integration of the metallic nanowires into a 3D microsystem. This work introduces a technique for in-situ integration of nanowires into microsystems with a focus on an application in sensor technology and commercial and industry suitable fabrication. The objective of this work is to develop an on-chip electron field emitter, based on metallic nanowires, for measuring vacuum pressures less than 10^-12 mbar in cryogenic systems at temperatures below 6 K. A review of state-of-the-art technologies in vacuum measurement sets the basis for discussing possibilities to eliminate or minimize the problems of the field emitter based gauges. It is shown theoretically that using the metallic nanowires with high aspect ratio and sharp tips as an electron field emitter results in a great local electrical field enhancement, thus, a higher current emission. For fabricating the wires the so-called ion-track etch process is used. Such nanowires are also known as template grown wires because the nanowires are electrochemically synthesized in the pores of the ion-track etched template membranes. With this process, nanowires with a diameter from 30 nm to some µm and a length of 2 µm to 100 µm with different densities in the range of 10^4 cm^-2 to 10^9 cm^-2 can be realized. The development of a process for in-situ integration of the wires into a 10 mm x 30 mm surface (as 16x50 array of pads) and the developed devices and techniques are explained in detail. The process and the electrochemical deposition device are optimized to enable covering broad surfaces with nanowires. With the optimization, the nanowires can be integrated into the whole surface with 300 mm x300 mm dimensions and also industrial 12-inch wafers. Compared to cylindrical nanowires, conical structures show a much better thermomechanical performance. Therefore, the used ion-track templates are etched asymmetrically in an etching device, developed in this work including an electrical measurement process to control the apex angle of the conical pores. Theoretically, with the conical structure a stable current emission, sufficient for vacuum pressure measurement, with a significantly longer lifetime of the emitting cones is expected. These effects are experimentally explored with a large variety of samples. The field emission characteristics of the nanocones in a diode and triode setup are measured and described in detail. In a long term measurement a stable field emission current of 31 µA at an applied voltage of 290 V for 50 h and above 100 µA at an applied voltage of 338 V for 12.5 h shows the potential of this emitter structure for enough stable current emission for XHV vacuum pressure measurement. To complete the structure of an on-chip emitter, an extraction grid for applying the extraction voltage as well as transmission of the emitted current must be attached over the nanocones. A concept for an XHV suitable integration of the extraction grid is designed. This concept is pursued by the idea, which is to use nanowires as a hook and loop fastener. In this application, two surfaces are covered with nanowires. By pressing these surfaces on top of each other both surfaces are bonded at room temperature. This process takes place by entanglement and diffusion of the nanowires into each other. The development of this room temperature bonding technology and exploring the mechanical and electrical properties of the connections are discussed in detail. This new technology is presented for a heat-free bonding of semiconductors on pads down to 3 µm and pitches lower than 5 µm. Also, this technology has the potential of a wafer-wafer and die-wafer bonding in large scales and with temperatures far below 230 °C or at room temperature. In the context of this work, the company NanoWired GmbH was founded. This company transfers the developed technology to the market for applications in semiconductor, automotive, sensor, and light segments. Different conventional methods like glueing, welding, soldering, or screws can be substituted with this technology.

Alternative Abstract:
Alternative AbstractLanguage

Die Nanotechnologie eröffnet den Zugang zu einer Vielzahl neuer Materialeigenschaften und -verhaltensweisen, die über die klassischen physikalischen Eigenschaften der Materialien weit hinaus gehen. Metallische Drähte mit einem Durchmesser von weniger als 1µm und einer Länge von 10 µm bis 50 µm zeigen ein großes Aspektverhältnis. Insbesondere eine hohe Dichte solcher Drähte führt zu einem sehr großen Verhältnis von Oberfläche zu Volumen und zu neuen mechanischen, elektrischen, thermischen und chemischen Eigenschaften der mit Nano- und Mikrodrähten bedeckten Oberflächen. Diese neuen physikalischen und chemischen Effekte ermöglichen eine neue Entwicklungsstufe hochempfindlicher Sensoren wie chemische, biologische, Gasfluss-, Kraft- und Trägheitssensoren. Darüber hinaus ermöglicht der Einsatz von Nano- und Mikrodrähten die Herstellung von Schaltkontakten mit äußerst geringem elektrischem Widerstand. Zudem können effizientere thermische Schnittstellen und Verbindungen bei Raumtemperatur hergestellt werden. Durch das hohe Aspektverhältnis eignen sich Nanodrähte als Hochleistungselektronenfeldemitter. Um all diese Anwendungen zu realisieren, muss insbesondere eine wesentliche Hürde überwunden werden: Die vertikale Integration der metallischen Nanodrähte in ein 3D-Mikrosystem. In dieser Arbeit wird eine Technik zur vor-Ort-Erzeugung und Integration von Nanodrähten in Mikrosysteme mit Fokus auf eine Anwendung in der Sensorik und ihre kommerzialisierbare, industrietaugliche Herstellung vorgestellt. Das Ziel dieser Arbeit ist die Entwicklung eines On-Chip-Elektronenfeldemitters, basierend auf metallischen Nanodrähten, zur Messung von Vakuumdrücken kleiner 10^-12 mbar in kryogenen Systemen bei Temperaturen unter 6 K. Aufsetzend auf einem Überblick zum Stand der Technik in der Vakuummesstechnik werden Möglichkeiten diskutiert, Probleme von Feldemitter-basierten Messgeräten zu eliminieren bzw. zu minimieren. Es wird theoretisch abgeleitet, dass die Verwendung von metallischen Nanodrähten mit hohem Oberflächenverhältnis und scharfen Spitzen als Elektronenfeldemitter zu einer großen lokalen elektrischen Feldverstärkung und damit zu einer höheren Stromemission führt. Zur Herstellung der Drähte wird das sogenannte Ionenspur-Ätzverfahren verwendet. Solche Nanodrähte werden auch als Templat-gewachsene Drähte bezeichnet, da die Nanodrähte elektrochemisch in den Poren der ionenspurgeätzten Templat-Membranen synthetisiert werden. Mit diesem Verfahren können Nanodrähte mit einem Durchmesser von 30 nm bis zu einigen µm und einer Länge von 2 µm bis 100 µm mit unterschiedlichen Dichten im Bereich von 10^4 cm^-2 bis 10^9 cm^-2 realisiert werden. Die Entwicklung eines Verfahrens zur in-situ-Integration der Drähte in einer 10 mm x30 mm großen Fläche (als 16x50 Pad-Array) und die hierfür entwickelten Bauelemente und Techniken werden ausführlich erläutert. Um die Abdeckung breiter Flächen mit Nanodrähten zu ermöglichen, wurden der Prozess und die elektrochemische Abscheidungsvorrichtung optimiert. Mit dieser Optimierung können die Nanodrähte über die gesamte Oberfläche mit einer Abmessung von 300 mm x 300 mm sowie in industrielle 12-Zoll-Wafer integriert werden. Im Vergleich zu zylindrischen Nanodrähten zeigen konische Strukturen ein deutlich besseres thermomechanisches Verhalten. Aus diesem Grund wurde die Struktur der Drähte in eine konische Form gebracht. Hierfür wurde für die Ionenspur-Templates eine Vorrichtung zum asymmetrischen Ätzen entwickelt inklusive eines elektrischen Messverfahrens zur Steuerung des Scheitelwinkels der konischen Poren. Durch die konische Struktur kann theoretisch eine stabile, für die Vakuumdruckmessung ausreichende Stromemission mit einer deutlich längeren Lebensdauer der emittierenden Konen erreicht werden. Diese Effekte wurden mit einer großen Zahl unterschiedlicher Proben nachgewiesen. Die Feldemissionscharakteristik der Nanokonen in einem Dioden- und Triodenaufbau werden detailiert beschrieben. In einer Langzeitmessung zeigt ein stabiler Feldemissionsstrom von 31 µA bei einer angelegten Spannung von 290 V für 50 h und über 100 µA bei einer angelegten Spannung von 338 V für 12,5 h das Potenzial dieser Emitterstruktur für eine ausreichend stabile Stromemission für XHV-Vakuumdruckmessungen. Um den Aufbau eines On-Chip-Emitters zu vervollständigen, muss über den Nanokonen ein Extraktionsgitter zum Anlegen der Extraktionsspannung sowie zur Übertragung des emittierten Stroms angebracht werden. Ein Konzept für eine XHV-gerechte Integration des Extraktionsgitters wurde entwickelt. Das Konzept verfolgt die Idee, die metallischen Nanodrähte vergleichbar zu einem Klettverschluss einzusetzen. Bei dieser Anwendung werden zwei Flächen mit Nanodrähten belegt. Durch Aufeinanderpressen dieser Flächen werden beide Flächen bei Raumtemperatur miteinander verbunden. Dieser Prozess findet durch Verschränkung und Diffusion der Nanodrähte ineinander statt. Die Entwicklung dieses Raumtemperatur-Verbindungsprozesses und die Untersuchung der mechanischen und elektrischen Eigenschaften der Verbindungen werden detailliert ausgeführt. Diese neue Technologie wird am Einsatzbeispiel für das wärmefreie Verbinden von Halbleitern auf Pads bis zu 3 µm und Pitches kleiner als 5 µm erklärt. Sie hat das Potenzial für den Einsatz in der Massenproduktion von Wafer-Wafer- und Die-Wafer-Verbindungen bei Temperaturen deutlich unter 230 °C oder bei Raumtemperatur. Im Rahmen dieser Arbeiten wurde die Firma NanoWired GmbH gegründet. Diese Firma hat die entwickelte Technologie zur Anwendung in der Halbleiter-, Automobil-, Sensor- und Lichtbranche auf den Markt gebracht. Verschiedene konventionelle Methoden wie Kleben, Schweißen, Löten oder Schrauben können durch diese Technologie ersetzt werden.

German
Status: Publisher's Version
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-220340
Classification DDC: 500 Science and mathematics > 530 Physics
600 Technology, medicine, applied sciences > 620 Engineering and machine engineering
Divisions: 18 Department of Electrical Engineering and Information Technology > Microtechnology and Electromechanical Systems
Date Deposited: 23 Aug 2022 12:03
Last Modified: 24 Aug 2022 06:42
URI: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/id/eprint/22034
PPN: 498561410
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