TU Darmstadt / ULB / TUprints

Kathodenzerstäubte(Ba,Sr)TiO3-Dünnschichten für steuerbare Mikrowellenkomponenten Material-, Bauteil- und Grenzflächeneigenschaften

Schafranek, Robert (2009)
Kathodenzerstäubte(Ba,Sr)TiO3-Dünnschichten für steuerbare Mikrowellenkomponenten Material-, Bauteil- und Grenzflächeneigenschaften.
Technische Universität
Ph.D. Thesis, Primary publication

[img]
Preview
PDF
Diss_DE.pdf
Copyright Information: CC BY-NC-ND 2.5 Generic - Creative Commons, Attribution, NonCommercial, NoDerivs .

Download (5MB) | Preview
Item Type: Ph.D. Thesis
Type of entry: Primary publication
Title: Kathodenzerstäubte(Ba,Sr)TiO3-Dünnschichten für steuerbare Mikrowellenkomponenten Material-, Bauteil- und Grenzflächeneigenschaften
Language: German
Referees: Klein, APL Prof. Andreas ; Alff, Prof. Dr. Lambert
Date: 6 August 2009
Place of Publication: Darmstadt
Date of oral examination: 15 May 2009
Abstract:

In dieser Arbeit wurde der Einfluss der Präparationsbedingen auf die Zusammensetzung, Struktur und die elektronischen Eigenschaften von kathodenzerstäubten (Ba,Sr)TiO3 Dünnschichten untersucht und mit den Bauteileigenschaften von auf diesen Schichten aufbauenden Varaktoren in Metall/Isolator/Metall-Topographie in Zusammenhang gebracht. Des Weiteren wurden die bauteilrelevanten Kontakteigenschaften zwischen Dielektrikum und Metallisierung mittels in-situ Photoelektronenspektroskopie untersucht. Hierbei wurde eine starke Abhängigkeit der Schottky-Barrierenhöhe von der Grenzflächendefektkonzentration am Kontakt gefunden und die Defekte Sauerstoffleerstellen zugeordnet.

Alternative Abstract:
Alternative AbstractLanguage

In this work the influence of the deposition conditions on the composition, structure and electronic properties of sputter deposited (Ba,Sr)TiO3 thin films was investigated and brought in conjunction with the device properties of varactors based on these thin films in metal/insulator/metal topography. Furthermore the device relevant contact properties between insulator and electrode material were studied by meens of in-situ photoelectron spectroscopy. A strong dependence of the Schottky barrier height on the interface defect concentration was found and these defects could be identified as Oxygen vacancies.

English
URN: urn:nbn:de:tuda-tuprints-18739
Classification DDC: 500 Science and mathematics > 500 Science
500 Science and mathematics > 530 Physics
Divisions: 11 Department of Materials and Earth Sciences > Material Science > Surface Science
Date Deposited: 09 Sep 2009 07:34
Last Modified: 08 Jul 2020 23:30
URI: https://tuprints.ulb.tu-darmstadt.de/id/eprint/1873
PPN: 222443553
Export:
Actions (login required)
View Item View Item